[發(fā)明專利]一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法及裝置在審
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910362335.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-30 |
公開(公告)號(hào): | CN110117779A | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李建;李巖;古大龍;馬亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 信利(仁壽)高端顯示科技有限公司 |
主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56;C23C16/44;C23G5/00 |
代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 廖苑濱 |
地址: | 620500 四川省眉山*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 真空鍍膜裝置 內(nèi)部件 鍍膜層 沉積 再生 熔膜 烘烤 熔解 酸洗 再生方法及裝置 鍍膜過程 環(huán)保問題 有效實(shí)現(xiàn) 運(yùn)輸費(fèi)用 再生工藝 再生過程 閾值時(shí) 備用 制作 | ||
本發(fā)明提供了一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法,所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件在鍍膜過程中會(huì)沉積鍍膜層,所述再生方法包括以下步驟:在所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件會(huì)沉積鍍膜層的表面制作可熔膜層;當(dāng)所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件上沉積的鍍膜層厚度超過厚度閾值時(shí),烘烤所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件使得可熔膜層熔解帶動(dòng)沉積鍍膜層脫落。本發(fā)明提供的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法在實(shí)現(xiàn)真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生過程中,不需要進(jìn)行酸洗,從而能夠有效避免酸洗帶來(lái)的環(huán)保問題;而是通過烘烤使得可熔膜層熔解帶動(dòng)沉積鍍膜層脫落來(lái)實(shí)現(xiàn)再生的,再生工藝簡(jiǎn)單,能有效節(jié)省運(yùn)輸費(fèi)用,提高再生速度,減少購(gòu)置備用真空鍍膜裝置內(nèi)部件的費(fèi)用,有效實(shí)現(xiàn)了降低生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及了真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及了一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法及裝置。
背景技術(shù)
真空鍍膜裝置在液晶顯示器、觸摸屏、AMOLED等產(chǎn)品的制作中應(yīng)用廣泛,其中,真空真空鍍膜裝置內(nèi)部件在鍍膜過程中會(huì)沉積鍍膜層,例如真空擋板。當(dāng)沉積的鍍膜層厚度大于厚度閾值時(shí)就需要進(jìn)行更換或者再生,否則會(huì)出現(xiàn)沉積的鍍膜層脫落損傷產(chǎn)品。現(xiàn)有的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法一般是將真空鍍膜裝置內(nèi)部件拆下后運(yùn)輸?shù)酵鈪f(xié)廠進(jìn)行酸洗、噴砂、清洗等工序之后,再包裝運(yùn)返回產(chǎn)品制造廠使用,這樣會(huì)存在以下技術(shù)問題:1、酸洗存在嚴(yán)重的環(huán)保問題,酸洗用到的硫酸、鹽酸,排放后嚴(yán)重污染環(huán)境,目前很多城市要求硫酸、鹽酸零排放;2、周期太長(zhǎng),一般需要10天以上,使得再生過程中需要使用備用部件,購(gòu)買費(fèi)用大;3、需要在外協(xié)廠進(jìn)行再生,運(yùn)輸費(fèi)用大,年費(fèi)用可達(dá)數(shù)十萬(wàn)元)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法及裝置,它可以有效實(shí)現(xiàn)真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生利用,而且避免酸洗帶來(lái)的環(huán)保問題,降低生產(chǎn)成本。
為了解決以上技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法,所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件在鍍膜過程中會(huì)沉積鍍膜層,所述再生方法包括以下步驟:
在所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件會(huì)沉積鍍膜層的表面制作可熔膜層;
當(dāng)所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件上沉積的鍍膜層厚度超過厚度閾值時(shí),烘烤所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件使得可熔膜層熔解帶動(dòng)沉積鍍膜層脫落。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述可熔膜層的材料為熔點(diǎn)范圍為130℃-350℃的金屬。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述可熔膜層的材料為銦或銦合金。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述可熔膜層的材料為銦,且所述可熔膜層的厚度為 0.1-10mm。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述烘烤具體為預(yù)熱3-15分鐘后,烘烤5-60分鐘。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述烘烤溫度大于156.63℃。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,還包括對(duì)熔解的可熔膜層進(jìn)行回收。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述對(duì)熔解的可熔膜層進(jìn)行回收包括:使得熔解的可熔膜層流經(jīng)濾網(wǎng)進(jìn)入回收艙;冷卻回收艙中的可熔膜層。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件為真空擋板。
進(jìn)一步地,提供一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生裝置,包括用于烘烤真空鍍膜裝置內(nèi)部件的烤箱和設(shè)于所述烤箱下的回收艙;所述回收艙的入口設(shè)有濾網(wǎng)。
本發(fā)明具有如下技術(shù)效果:本發(fā)明提供的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法在實(shí)現(xiàn)真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生過程中,不需要進(jìn)行酸洗,從而能夠有效避免酸洗帶來(lái)的環(huán)保問題;而是通過烘烤使得可熔膜層熔解帶動(dòng)沉積鍍膜層脫落來(lái)實(shí)現(xiàn)再生的,再生工藝簡(jiǎn)單,而烘烤工序不需要通過外協(xié)廠完成,因此也能有效節(jié)省運(yùn)輸費(fèi)用,提高再生速度,減少購(gòu)置備用真空鍍膜裝置內(nèi)部件的費(fèi)用,有效實(shí)現(xiàn)了降低生產(chǎn)成本。
附圖說(shuō)明
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理