[發(fā)明專(zhuān)利]一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法及裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910362335.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110117779A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李建;李巖;古大龍;馬亮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 信利（仁壽）高端顯示科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/56
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/56;C23C16/44;C23G5/00
• 代理公司: 廣州粵高專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 廖苑濱

1.一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件在鍍膜過(guò)程中會(huì)沉積鍍膜層，其特征在于，所述再生方法包括以下步驟：

在所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件會(huì)沉積鍍膜層的表面制作可熔膜層；

當(dāng)所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件上沉積的鍍膜層厚度超過(guò)厚度閾值時(shí)，烘烤所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件使得可熔膜層熔解帶動(dòng)沉積鍍膜層脫落。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜層的材料為熔點(diǎn)范圍為130℃-350℃的金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜層的材料為銦或銦合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜層的材料為銦，且所述可熔膜層的厚度為0.1-10mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述烘烤具體為預(yù)熱3-15分鐘后，烘烤5-60分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述烘烤溫度大于156.63℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，還包括對(duì)熔解的可熔膜層進(jìn)行回收。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述對(duì)熔解的可熔膜層進(jìn)行回收包括：使得熔解的可熔膜層流經(jīng)濾網(wǎng)進(jìn)入回收艙；冷卻回收艙中的可熔膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生方法，其特征在于，所述真空鍍膜裝置內(nèi)部件為真空擋板。

10.一種真空鍍膜裝置內(nèi)部件的再生裝置，其特征在于，包括用于烘烤真空鍍膜裝置內(nèi)部件的烤箱和設(shè)于所述烤箱下的回收艙；所述回收艙的入口設(shè)有濾網(wǎng)。