[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光層的制備方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910362270.X
• 申請(qǐng)日: 2019-04-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110112304B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜中輝;吳聰原
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供一種發(fā)光層的制備方法及顯示裝置。發(fā)光層的制備方法包括S1、提供基板，S2、在所述基板上蒸鍍綠光發(fā)光層，S3、用UV光照破壞左側(cè)以及中間區(qū)域的所述綠光發(fā)光層，S4、將所述基板進(jìn)行紅光發(fā)光層蒸鍍，S5、用UV光破壞最左側(cè)區(qū)域的所述紅光發(fā)光層，S6、將所述基板進(jìn)行藍(lán)光發(fā)光層蒸鍍，S7、將所述基板進(jìn)行電子傳輸層、電子注入層以及陰極蒸鍍，并進(jìn)行封裝，S8、將步驟S7封裝后的器件進(jìn)行通電壓處理，并破壞中間區(qū)域的所述藍(lán)光發(fā)光層，以及右側(cè)區(qū)域的紅光發(fā)光層以及藍(lán)光發(fā)光層。通過(guò)兩次UV光照射及施加電壓，處理RGB發(fā)光層，實(shí)現(xiàn)不需要彩色濾光片和金屬掩膜版蒸鍍器件的OLED發(fā)光器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光層的制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示面板，如有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱：OLED)因其在固態(tài)照明和平板顯示的方向擁有巨大的發(fā)展?jié)摿Χ玫搅藢W(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的極大關(guān)注。

目前商業(yè)化的OLED發(fā)光面板，大尺寸來(lái)說(shuō)，通常為多疊發(fā)光層結(jié)構(gòu)通過(guò)濾光片(Color filter，簡(jiǎn)稱：CF)實(shí)現(xiàn)全彩化。而小尺寸OLED發(fā)光面板采用精細(xì)金屬掩模版(Finemetal mask，簡(jiǎn)稱：FMM)技術(shù)進(jìn)行RGB材料的蒸鍍。精細(xì)掩模版片材薄(10-100μm)，最小開(kāi)口尺寸約20μm，定位精度約3μm，加工精度要求高。另外，隨FMM尺寸的增大，F(xiàn)MM中部亦容易產(chǎn)生形變，導(dǎo)致蒸鍍材料的錯(cuò)位，并最終導(dǎo)致EML層錯(cuò)位混色和金屬過(guò)孔無(wú)法覆蓋等現(xiàn)象。因此FMM很難兼顧大面積、低重量、低熱膨脹系數(shù)等特性。

綜上所述，在目前現(xiàn)有技術(shù)中存在采用金屬掩膜版制備OLED器件時(shí)，大尺寸金屬掩膜版不易制備，且造價(jià)很高以及金屬掩膜版在蒸鍍數(shù)次后需要定期清洗，否則容易堵塞的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種發(fā)光層的制備方法及顯示裝置，可通過(guò)兩次UV光照射及施加電壓，處理RGB發(fā)光層，實(shí)現(xiàn)不需要彩色濾光片和金屬掩膜版蒸鍍器件的制備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用金屬掩膜版制備OLED器件時(shí)，大尺寸金屬掩膜版不易制備，且造價(jià)很高以及金屬掩膜版在蒸鍍數(shù)次后需要定期清洗，否則容易堵塞的問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種發(fā)光層的制備方法，所述發(fā)光層的制備方法包括以下步驟：

S1、提供基板，所述基板包括左側(cè)區(qū)域、中間區(qū)域以及右側(cè)區(qū)域；

S2、在所述基板上蒸鍍綠光發(fā)光層；

S3、用UV光照射并破壞位于所述基板的所述左側(cè)區(qū)域以及所述中間區(qū)域上的所述綠光發(fā)光層，保留位于所述基板的所述右側(cè)區(qū)域上的所述綠光發(fā)光層；

S4、在經(jīng)過(guò)步驟S3處理后的所述基板上蒸鍍紅光發(fā)光層；

S5、用所述UV光照射并破壞位于所述基板的所述左側(cè)區(qū)域上的所述紅光發(fā)光層，保留位于所述基板的所述中間區(qū)域以及所述右側(cè)區(qū)域上的所述紅光發(fā)光層；

S6、在經(jīng)過(guò)步驟S5處理后的所述基板上蒸鍍藍(lán)光發(fā)光層；

S7、在經(jīng)過(guò)步驟S6處理后的所述基板上蒸鍍電子傳輸層、電子注入層以及陰極，并封裝所述發(fā)光層；

S8、將步驟S7封裝后的所述發(fā)光層進(jìn)行通電壓處理，并破壞位于所述基板的所述中間區(qū)域上的所述藍(lán)光發(fā)光層，以及破壞位于所述基板的所述右側(cè)區(qū)域上的所述紅光發(fā)光層以及所述藍(lán)光發(fā)光層。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光層的制備方法，在步驟S1中的所述基板為進(jìn)行空穴注入層以及空穴傳輸層蒸鍍處理后的基板。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光層的制備方法，在步驟S3中的所述UV光的波長(zhǎng)為254納米。