[發明專利]發光層的制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201910362270.X
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110112304B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 杜中輝;吳聰原
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種發光層的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備方法包括以下步驟：

S1、提供基板，所述基板包括左側區域、中間區域以及右側區域；

S2、在所述基板上蒸鍍綠光發光層；

S3、用UV光照射并破壞位于所述基板的所述左側區域以及所述中間區域上的所述綠光發光層，保留位于所述基板的所述右側區域上的所述綠光發光層；

S4、在經過步驟S3處理后的所述基板上蒸鍍紅光發光層；

S5、用所述UV光照射并破壞位于所述基板的所述左側區域上的所述紅光發光層，保留位于所述基板的所述中間區域以及所述右側區域上的所述紅光發光層；

S6、在經過步驟S5處理后的所述基板上蒸鍍藍光發光層；

S7、在經過步驟S6處理后的所述基板上蒸鍍電子傳輸層、電子注入層以及陰極，并封裝所述藍光發光層、所述綠光發光層以及所述紅光發光層；

S8、將步驟S7封裝后的所述藍光發光層、所述綠光發光層以及所述紅光發光層進行通電壓處理，并破壞位于所述基板的所述中間區域上的所述藍光發光層，以及破壞位于所述基板的所述右側區域上的所述紅光發光層以及所述藍光發光層。

2.根據權利要求1所述的發光層的制備方法，其特征在于，在步驟S1中的所述基板為進行空穴注入層以及空穴傳輸層蒸鍍處理后的基板。

3.根據權利要求1所述的發光層的制備方法，其特征在于，在步驟S3中的所述UV光的波長為254納米。

4.根據權利要求3所述的發光層的制備方法，其特征在于，在步驟S3中的所述UV光的照度為28兆瓦/平方厘米。

5.根據權利要求4所述的發光層的制備方法，其特征在于，在步驟S3中的所述UV光的處理時間為600秒。

6.根據權利要求1所述的發光層的制備方法，其特征在于，在步驟S8中的將所述藍光發光層、所述綠光發光層以及所述紅光發光層進行通電壓處理前，對所述綠光發光層、所述紅光發光層以及所述藍光發光層進行最大電壓的承受測試。

7.根據權利要求6所述的發光層的制備方法，其特征在于，按照所述綠光發光層、所述紅光發光層以及所述藍光發光層能承受的所述最大電壓依次遞減的順序進行蒸鍍。

8.根據權利要求7所述的發光層的制備方法，其特征在于，所述藍光發光層、所述綠光發光層以及所述紅光發光層的蒸鍍順序為首先蒸鍍所述綠光發光層，隨后蒸鍍所述紅光發光層，最后蒸鍍所述藍光發光層。

9.根據權利要求1所述的發光層的制備方法，其特征在于，所述步驟S8還包括調整通電壓的電壓值大小以及通電時間來處理所述綠光發光層、所述紅光發光層以及所述藍光發光層。

10.一種顯示裝置，使用了如權利要求1-9任一項所述的發光層的制備方法所制備得到的發光層。