[發(fā)明專利]一種均勻鍍膜的裝置以及方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910361919.6
• 申請(qǐng)日: 2019-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN111850477A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王正安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種均勻鍍膜的裝置，設(shè)于蒸發(fā)鍍膜腔內(nèi)并位于基板傳送帶的下方，其特征在于，該裝置包括：點(diǎn)蒸發(fā)源陣列、加熱組件、膜層監(jiān)控機(jī)構(gòu)和加熱控制機(jī)構(gòu)；

所述點(diǎn)蒸發(fā)源陣列包括多個(gè)均勻排布的點(diǎn)蒸發(fā)源，在每個(gè)所述點(diǎn)蒸發(fā)源的外部設(shè)置所述加熱組件；

所述膜層監(jiān)控機(jī)構(gòu)包括：厚度測(cè)量器，用于監(jiān)測(cè)基板的膜層厚度，成分分析器，用于監(jiān)測(cè)基板的膜層成分，以及與厚度測(cè)量器和成分分析器連接的控制器，用于根據(jù)所述膜層厚度和膜層成分得到各個(gè)所述點(diǎn)蒸發(fā)源的蒸發(fā)量；

所述加熱控制機(jī)構(gòu)與所述控制器和所述加熱組件連接，用于根據(jù)所述蒸發(fā)量，控制所述加熱組件對(duì)每個(gè)所述點(diǎn)蒸發(fā)源的加熱輸出功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻鍍膜的裝置，其特征在于，該裝置還包括：腔室，所述腔室設(shè)有一個(gè)蒸發(fā)平面，所述蒸發(fā)平面與基板傳送帶所在平面平行，在所述蒸發(fā)平面上設(shè)有多個(gè)連通孔，所述連通孔位于各個(gè)所述點(diǎn)蒸發(fā)源的上方；

所述點(diǎn)蒸發(fā)源陣列和所述加熱組件排布在所述腔室內(nèi)；

所述成分分析器設(shè)于所述蒸發(fā)平面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的均勻鍍膜的裝置，其特征在于，所述點(diǎn)蒸發(fā)源陣列，包括：沿垂直基板運(yùn)動(dòng)方向列排布的點(diǎn)蒸發(fā)源，以及沿基板運(yùn)動(dòng)方向行排布的點(diǎn)蒸發(fā)源；

同一列排布的點(diǎn)蒸發(fā)源中放置同一種蒸發(fā)材料；

同一行排布的點(diǎn)蒸發(fā)源中以預(yù)設(shè)的順序依次放置不同蒸發(fā)材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的均勻鍍膜的裝置，其特征在于，所述點(diǎn)蒸發(fā)源包括：坩堝、噴管和噴嘴，所述噴管的一端連通所述坩堝，另一端連接所述噴嘴；

所述坩堝，用于對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行蒸發(fā)；

所述噴嘴與所述連通孔一一對(duì)應(yīng)，用于將所述坩堝內(nèi)蒸發(fā)的蒸發(fā)材料噴向基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的均勻鍍膜的裝置，其特征在于，該裝置還包括：在列排布的點(diǎn)蒸發(fā)源之間設(shè)有隔離板，所述隔離板設(shè)于所述蒸發(fā)平面上，用于隔離不同列的噴嘴所噴出的蒸發(fā)材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的均勻鍍膜的裝置，其特征在于，所述加熱組件包覆于每個(gè)所述坩堝的外部，用于根據(jù)所述加熱控制機(jī)構(gòu)設(shè)定的加熱輸出功率，對(duì)所述坩堝進(jìn)行加熱。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的均勻鍍膜的裝置，其特征在于，所述加熱控制機(jī)構(gòu)包括：

初始加熱子模塊，對(duì)設(shè)于點(diǎn)蒸發(fā)源外部的加熱組件，設(shè)有對(duì)應(yīng)的初始加熱輸出功率；

實(shí)時(shí)加熱子模塊，用于根據(jù)所述控制器中得到的各個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的蒸發(fā)量，調(diào)整各個(gè)所述加熱組件的加熱輸出功率。

8.一種均勻鍍膜的方法，采用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，該方法包括：

將基板傳送至蒸發(fā)鍍膜腔內(nèi)；

加熱控制機(jī)構(gòu)以初始加熱輸出功率控制加熱組件對(duì)各個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源進(jìn)行加熱；

厚度測(cè)量器采集基板的膜層厚度數(shù)據(jù)并傳輸至控制器，成分分析器采集基板的膜層成分?jǐn)?shù)據(jù)并傳輸至控制器；

控制器根據(jù)膜層厚度數(shù)據(jù)和膜層成分?jǐn)?shù)據(jù)，得到各個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的蒸發(fā)量數(shù)據(jù)并傳輸至加熱控制機(jī)構(gòu)；

加熱控制機(jī)構(gòu)根據(jù)所述蒸發(fā)量數(shù)據(jù)，對(duì)各個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的加熱組件加熱輸出功率進(jìn)行調(diào)整；

加熱組件根據(jù)加熱控制機(jī)構(gòu)調(diào)整后的加熱輸出功率，對(duì)各個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源進(jìn)行加熱。