[發(fā)明專利]一種四結(jié)太陽能電池及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910361710.X | 申請日： | 2019-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN110085704A | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李俊承;吳真龍;何勝;邢永祿;郭文輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 225101*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 電池 鍵合處 光電轉(zhuǎn)換效率 短波光譜 高能粒子 減少材料 歐姆接觸 鍵合層 接觸層 透光性 保證 短波 鍵合 失配 吸收 正向 制備 反射 制作 生長 | ||
1.一種四結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：
提供一獨立電池及正向生長的GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池，所述獨立電池包括襯底和位于所述襯底上的InGaN電池；
在所述InGaN電池背離所述襯底一側(cè)沉積第一ITO接觸層，及在所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池的GaInP頂電池一側(cè)沉積第二ITO接觸層；
在所述第一ITO接觸層背離所述襯底一側(cè)形成第一IZO鍵合層，及在所述第二ITO接觸層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池一側(cè)形成第二IZO鍵合層；
將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層；
去除所述襯底；
在所述InGaN電池背離所述IZO鍵合層一側(cè)形成正面電極結(jié)構(gòu)，及在所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池背離所述IZO鍵合層一側(cè)形成背面電極結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述第一ITO接觸層背離所述襯底一側(cè)形成第一IZO鍵合層，及在所述第二ITO接觸層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池一側(cè)形成第二IZO鍵合層，包括：
采用溶膠凝膠法，在所述第一ITO接觸層背離所述襯底一側(cè)形成第一IZO鍵合層，及在所述第二ITO接觸層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池一側(cè)形成第二IZO鍵合層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的四結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述溶膠凝膠法包括第一階段和第二階段：
在所述第一階段，旋涂IZO溶膠，轉(zhuǎn)速為300r/min-600r/min，且持續(xù)時間為20s-30s；
在所述第二階段，轉(zhuǎn)速調(diào)整為1500r/min-1800r/min，且持續(xù)時間為70s-80s，而后采用150℃-180℃氮氣烘箱或120℃-150℃的熱板進行烘烤10min-15min，使所述IZO溶膠轉(zhuǎn)換為IZO凝膠后，采用240℃-260℃氮氣烘箱烘烤50min-70min，形成所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的四結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于，將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層，包括：
對所述第一IZO鍵合層背離所述InGaN電池一側(cè)表面、及對所述第二IZO鍵合層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池一側(cè)表面進行拋光處理；
對所述第一IZO鍵合層背離所述InGaN電池一側(cè)表面、及對所述第二IZO鍵合層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結(jié)電池一側(cè)表面進行活化處理；
采用直接鍵合技術(shù)將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的四結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于，采用直接鍵合技術(shù)將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層，包括：
在所述活化處理后的2min內(nèi)將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層直接貼合；
在鍵合機內(nèi)將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于，在鍵合機內(nèi)將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層，其中，所述鍵合機內(nèi)工藝參數(shù)首先調(diào)整壓力為1800kgf-7200kgf，溫度為140℃-160℃，壓合時間為300s-500s；
而后升壓為12500kgf-11500kgf，其中，升壓時間300s，壓合時間1800s，溫度為245℃-255℃；
最后調(diào)整壓力為1800kgf-7200kgf，溫度為245℃-255℃，壓合時間600s。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
