[發(fā)明專利]閃存部件和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910361406.5
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110556381A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K.帕拉特;R.法斯托
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/764
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張凌苗;申屠偉進

閃存部件和方法。公開了閃存技術(shù)。在一個示例中，閃存部件可以包括彼此垂直間隔開并且由空隙分離的多個導(dǎo)電層，多個導(dǎo)電層中的每個形成字線。存儲器部件還可以包括延伸通過多個導(dǎo)電層的垂直取向的導(dǎo)電溝道。另外，閃存部件可包括將多個導(dǎo)電層耦合到導(dǎo)電溝道的多個存儲器單元。每個字線可以與多個存儲器單元中的一個相關(guān)聯(lián)。還公開了相關(guān)的設(shè)備、系統(tǒng)和方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本文描述的實施例一般地涉及計算機存儲器，并且更特別地涉及閃存設(shè)備。

背景技術(shù)

閃存是一種計算機存儲器，其利用諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管之類的浮柵晶體管作為存儲信息的存儲器單元。商業(yè)閃存之中的原理是NAND和NOR存儲器類型。在NAND存儲器中，以陣列布置單元，使得行中的每個存儲器單元的控制柵極連接以形成存取線（access line），諸如字線。陣列的列包括在源極選擇線和漏極選擇線的選擇線的對之間、源極到漏極串聯(lián)連接在一起的存儲器單元的串（通常稱為NAND串）。源極選擇線包括NAND串和源極選擇線之間的每個交叉處的源極選擇柵極（source select gate），并且漏極選擇線包括NAND串和漏極選擇線之間的每個交叉處的漏極選擇柵極（drain selectgate）。每個源極選擇柵極被連接到源極線，而每個漏極選擇柵極被連接到數(shù)據(jù)線，例如列位線。

附圖說明

根據(jù)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，技術(shù)特征和優(yōu)點將變得清楚，附圖通過示例的方式一起示出了各種技術(shù)實施例；并且，其中：

圖1示出根據(jù)示例實施例的閃存部件的一部分；

圖2示出圖1的閃存部件的導(dǎo)電溝道和存儲器單元的一部分的詳細(xì)視圖；

圖3示出根據(jù)示例實施例的閃存部件的總體布局（general layout）；

圖4示出圖3的閃存部件的存儲器塊的總體布局；

圖5A-5G 示出根據(jù)示例實施例的用于制造閃存部件的方法；

圖6A-6G 示出根據(jù)另一示例實施例的用于制造閃存部件的方法；

圖7是示例性固態(tài)器件的示意圖；和

圖8是示例性計算系統(tǒng)的示意圖。

現(xiàn)在將參考所示的示例性實施例，并且本文將使用特定語言來描述它們。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在此沒有限制本公開的范圍或限制到特定技術(shù)實施例的意圖。

具體實施方式

在公開和描述技術(shù)實施例之前，應(yīng)當(dāng)理解，不旨在限制到本文公開的特定結(jié)構(gòu)、工藝步驟或材料，而是還要包括相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識到的其等同物。還應(yīng)該理解，本文采用的術(shù)語僅用于描述特定示例的目的并且不旨在進行限制。不同附圖中的相同附圖標(biāo)記表示相同元素。在流程圖和過程中提供的數(shù)字是為了說明步驟和操作中的清楚性提供的，并不一定指示特定的順序或序列。除非另有定義，否則本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。

如在該撰寫的描述中使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”包括對復(fù)數(shù)個指示對象的明確支持，除非上下文另有明確規(guī)定。因此，例如，對“層”的提及包括多個這樣的層。