[發(fā)明專利]閃存部件和方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910361406.5
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110556381A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設計）人: K.帕拉特;R.法斯托
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/764
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張凌苗;申屠偉進

1.一種閃存部件，包括：

多個導電層，彼此垂直地間隔開并且通過空隙分離，所述多個導電層中的每個形成字線；

垂直取向的導電溝道，延伸通過多個導電層；和

多個存儲器單元，將多個導電層耦合到導電溝道，其中每個字線與多個存儲器單元中的一個相關聯(lián)。

2.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，其中空隙被填充有氣體。

3.根據(jù)權利要求2所述的閃存部件，其中氣體包括空氣、氬、氮或其組合。

4.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，其中導電層彼此垂直地間隔開從約5 nm至約50 nm的距離。

5.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，其中導電層中的每個具有從約10 nm至約40 nm的厚度。

6.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，其中多個導電層包括多晶硅。

7.根據(jù)權利要求6所述的閃存部件，其中多個導電層中的至少一個在頂表面、底表面或兩者上具有SiGe 殘余物。

8.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，還包括垂直取向的支撐柱，其在階梯區(qū)域中延伸通過多個導電層中的至少兩個并與之機械地耦合。

9.根據(jù)權利要求8所述的閃存部件，其中支撐柱形成與源極線和漏極線中的一個或兩個電隔離的非功能性存儲器柱的至少一部分。

10.根據(jù)權利要求9所述的閃存部件，還包括：多個非功能性存儲器單元，與非功能性存儲器柱相鄰并且將非功能性存儲器柱機械地耦合到多個導電層中的至少兩個。

11.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，還包括垂直取向的壁，其延伸通過多個導電層并與之機械地耦合。

12.根據(jù)權利要求11所述的閃存部件，其中垂直取向的壁包括電介質材料。

13.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，其中多個存儲器單元中的每個包括電荷存儲結構。

14.根據(jù)權利要求13所述的閃存部件，其中多個存儲器單元中的每個還包括設置在字線和電荷存儲結構之間的至少一個電介質層。

15.根據(jù)權利要求14所述的閃存部件，其中至少一個電介質層包括氮化物材料和氧化物材料或其組合。

16.根據(jù)權利要求13所述的閃存部件，還包括設置在電荷存儲結構和導電溝道之間的隧道電介質層。

17.根據(jù)權利要求13所述的閃存部件，其中電荷存儲結構是浮柵或電荷陷阱。

18.根據(jù)權利要求1所述的閃存部件，其中導電溝道包括多晶硅、Ge、SiGe 或其組合。

19.一種用于制造閃存部件的方法，包括：

形成第一材料和第二材料的交替層，使得第一材料的第一多個層彼此垂直地間隔開并由第二材料的第二多個層分離，其中第一和第二材料具有相似的蝕刻性質；

形成延伸通過第一多個層和第二多個層的垂直取向的開口；和

形成與第一多個層中的每個相關聯(lián)的存儲器單元。

20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中形成第一材料和第二材料的交替層包括沉積過程。

21.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中第一和第二材料是導電的。