[發明專利]光電裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201910361360.7
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110085684A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 陳峰;陳世杰;晁陽;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L33/44;H01L31/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

本公開涉及一種光電裝置及其制造方法。光電裝置包括：襯底，所述襯底中形成有光電器件；抗反射層，所述抗反射層至少覆蓋所述光電器件，所述抗反射層的厚度為沉積形成的預設厚度；第一鈍化層，所述第一鈍化層至少覆蓋所述光電器件上方的抗反射層。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種光電裝置及其制造方法。

背景技術

光電裝置可以實現光信號和電信號之間的轉換，在圖像感測、圖像顯示等領域中存在著廣泛的應用。在光電裝置中，為了改善光信號的接收或輻射狀況，通常設置有抗反射層。光的反射率與抗反射層的厚度密切相關，當抗反射層的厚度滿足一定的條件時，可以得到最小的反射率，從而使盡可能多的光透射，改善光電裝置的性能。然而，在光電裝置的制備工藝中，精確控制抗反射層的厚度并不容易，很容易導致光電裝置的性能下降。

因此存在對于新的光電裝置及其制造方法的需求。

發明內容

根據本公開的一個方面，提供了一種光電裝置，包括：襯底，所述襯底中形成有光電器件；抗反射層，所述抗反射層至少覆蓋所述光電器件，所述抗反射層的厚度為通過沉積形成的預設厚度；第一鈍化層，所述第一鈍化層至少覆蓋所述光電器件上方的抗反射層。

在一個實施例中，所述光電器件包括光電二極管或發光二極管。

在一個實施例中，所述光電裝置還包括邏輯電路，所述邏輯電路與所述光電器件電連接，且所述邏輯電路設置在所述襯底的邏輯區中。

在一個實施例中，所述第一鈍化層還覆蓋所述邏輯區；所述光電裝置還包括：停止層，所述停止層覆蓋所述邏輯區中的所述第一鈍化層；第二鈍化層，所述第二鈍化層覆蓋所述停止層，其中所述邏輯區中的第一鈍化層的厚度大于所述光電器件上方的第一鈍化層的厚度。

在一個實施例中，所述停止層的材料與所述抗反射層的材料相同；和/或所述第二鈍化層的材料與所述第一鈍化層的材料相同。

在一個實施例中，所述抗反射層的材料包括氮化硅；和/或所述第一鈍化層的材料包括絕緣氧化物。

在一個實施例中，覆蓋于所述光電器件上方的所述抗反射層的上表面平整。

根據本公開的另一個方面，提供了一種光電裝置的制造方法，包括：提供襯底，在所述襯底中形成有光電器件；至少在所述光電器件上方依次沉積抗反射層、第一鈍化層、停止層和第二鈍化層；依次刻蝕掉所述光電器件上方的第二鈍化層和停止層；刻蝕所述光電器件上方的所述第一鈍化層的一部分。

在一個實施例中，所述至少在所述光電器件上方依次沉積抗反射層、第一鈍化層、停止層和第二鈍化層的步驟包括：采用原子層沉積工藝沉積所述第一鈍化層。

在一個實施例中，所述依次刻蝕掉所述光電器件上方的第二鈍化層和停止層的步驟包括：采用第一刻蝕參數刻蝕所述光電器件上方的所述第二鈍化層；采用第二刻蝕參數刻蝕所述光電器件上方的所述停止層；其中，所述第一刻蝕參數不同于所述第二刻蝕參數。

在一個實施例中，所述刻蝕所述光電器件上方的所述第一鈍化層的一部分的步驟包括：采用第三刻蝕參數刻蝕所述光電器件上方的所述第一鈍化層的一部分；其中，所述第三刻蝕參數不同于所述第二刻蝕參數。

在一個實施例中，沉積在所述光電器件上方的抗反射層的厚度保持為預設厚度。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得更為清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：