[發明專利]光電裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201910361360.7 | 申請日： | 2019-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN110085684A | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 陳峰;陳世杰;晁陽;黃曉櫓 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L33/44;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 金曉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗反射層 光電器件 光電裝置 鈍化層 襯底 預設 沉積 覆蓋 制造 | ||
1.一種光電裝置，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底中形成有光電器件；
抗反射層，所述抗反射層至少覆蓋所述光電器件，所述抗反射層的厚度為通過沉積形成的預設厚度；
第一鈍化層，所述第一鈍化層至少覆蓋所述光電器件上方的抗反射層。
2.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于，所述光電器件包括光電二極管或發光二極管。
3.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于，所述光電裝置還包括邏輯電路，所述邏輯電路與所述光電器件電連接，且所述邏輯電路設置在所述襯底的邏輯區中。
4.根據權利要求3所述的光電裝置，其特征在于，所述第一鈍化層還覆蓋所述邏輯區；
所述光電裝置還包括：
停止層，所述停止層覆蓋所述邏輯區中的所述第一鈍化層；
第二鈍化層，所述第二鈍化層覆蓋所述停止層，其中所述邏輯區中的第一鈍化層的厚度大于所述光電器件上方的第一鈍化層的厚度。
5.根據權利要求4所述的光電裝置，其特征在于，所述停止層的材料與所述抗反射層的材料相同；和/或
所述第二鈍化層的材料與所述第一鈍化層的材料相同。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的光電裝置，其特征在于，所述抗反射層的材料包括氮化硅；和/或
所述第一鈍化層的材料包括絕緣氧化物。
7.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于，覆蓋于所述光電器件上方的所述抗反射層的上表面平整。
8.一種光電裝置的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底中形成有光電器件；
至少在所述光電器件上方依次沉積抗反射層、第一鈍化層、停止層和第二鈍化層；
依次刻蝕掉所述光電器件上方的第二鈍化層和停止層；
刻蝕所述光電器件上方的所述第一鈍化層的一部分。
9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述至少在所述光電器件上方依次沉積抗反射層、第一鈍化層、停止層和第二鈍化層的步驟包括：
采用原子層沉積工藝沉積所述第一鈍化層。
10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述依次刻蝕掉所述光電器件上方的第二鈍化層和停止層的步驟包括：
采用第一刻蝕參數刻蝕所述光電器件上方的所述第二鈍化層；
采用第二刻蝕參數刻蝕所述光電器件上方的所述停止層；
其中，所述第一刻蝕參數不同于所述第二刻蝕參數。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
