[發明專利]顯示面板及其制造方法、電子設備在審
| 申請號: | 201910360515.5 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN111863832A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 姚志博;樊騰;郭恩卿;李之升 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L33/48;H01L21/84;H01L25/13 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 電子設備 | ||
本發明提供一種顯示面板及其制造方法、電子設備,制造方法包括:提供驅動背板,驅動背板上具有多個分立的陣列電極;在驅動背板上形成間隔部,間隔部內具有若干個貫穿所述間隔部的開口,且開口暴露出陣列電極;提供多個發光芯片,發光芯片包括下電極以及位于下電極上的功能層;將發光芯片固定置于陣列電極上,且陣列電極與下電極電連接;形成公共電極層,公共電極層覆蓋多個發光芯片頂部表面以及間隔部頂部表面,且公共電極層與功能層電連接。本發明能夠形成具有整面連續完整膜層的公共電極層,從而改善顯示面板的質量。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示面板及其制造方法、電子設備。
背景技術
隨著發光二極管(LED,Light Emitting Diode)芯片工藝技術的日益進步,以LED作為發光像素的LED顯示技術成為可能,其中,微發光二極管(Micro-LED)為LED顯示技術中常用的器件之一。
目前,微發光二極管顯示面板的開發多基于倒裝LED芯片技術,倒裝LED芯片技術中,P型電極和N型電極(以下簡稱P/N電極)處于LED芯片同側,在將P/N電極焊接至驅動背板上時,對焊接精度以及避免短路等方面有著較高的要求相應的焊接難度大;并且倒裝LED芯片的芯片尺寸較大,限制了其在高分辨率Micro-LED顯示屏體中的應用。與倒裝LED芯片技術不同的是,垂直LED芯片中P/N電極分別處于LED芯片相對的兩側,使得垂直LED芯片具備更小的芯片尺寸,且在將垂直LED芯片焊接至驅動背板上時,對焊接精度的要求較低,因此,垂直LED芯片在高分辨率Micro-LED顯示屏體的開發中有著更大的優勢和應用前景。
然而,目前基于垂直LED芯片制造的顯示面板仍存在需要改進的地方。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板及其制造方法、電子設備,改善顯示面板的性能,提高顯示面板的可靠性。
為解決上述問題,本發明實施例提供一種顯示面板,包括:驅動背板,所述驅動背板上具有多個分立的陣列電極;間隔部,所述間隔部位于所述驅動背板上,所述間隔部暴露出每一所述陣列電極,且部分所述間隔部還位于相鄰陣列電極之間;多個發光芯片,所述發光芯片固定置于所述陣列電極上,所述發光芯片包括下電極以及位于所述下電極上的功能層,且所述陣列電極與所述下電極電連接;公共電極層,所述公共電極層覆蓋所述多個發光芯片頂部表面以及所述間隔部頂部表面,且所述公共電極層與所述功能層電連接。間隔部為公共電極層提供支撐作用,保證公共電極層為連續完整膜層,能夠有效實現與所有發光芯片的功能層之間的電連接,且防止由于公共電極層塌陷而導致的公共電極層與下電極之間短路的問題。因此,本發明實施例提供了一種結構性能優越的顯示面板。
另外,多個所述陣列電極在所述驅動背板上呈陣列式分布;所述間隔部呈網格結構,所述陣列電極對應位于所述網格結構的網口中。
另外,所述間隔部覆蓋所述陣列電極的側壁表面;或者,所述間隔部覆蓋所述陣列電極的側壁表面以及部分頂部表面;或者,所述間隔部暴露出所述陣列電極的頂部表面以及側壁表面,且還暴露出部分驅動背板表面。
另外,在垂直于所述發光芯片側壁方向上,所述間隙的寬度范圍為0.1μm~3μm。如此,在避免發光芯片受到損傷的同時,能夠有效的防止公共電極層在間隙處發生塌陷,從而進一步的保證公共電極層的連續完整性。
另外,所述間隔部頂部表面低于或者齊平于所述發光芯片頂部表面;在垂直于所述驅動背板表面方向上,所述間隔部頂部表面與所述發光芯片頂部表面之間的高度差的絕對值小于或等于2μm。如此,間隔部頂部表面與發光芯片頂部表面之間構成的臺階高度小,有利于進一步的保證公共電極層的連續完整性,進一步的保證公共電極層為整面完整覆蓋所有發光芯片的膜層。
另外,所述發光芯片朝向所述間隔部的側壁與所述間隔部朝向所述發光芯片的側壁之間具有間隙;所述顯示面板還包括:填充所述間隙的間隙填充層;優選的,所述公共電極層還覆蓋所述間隙填充層頂部表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





