[發明專利]濺鍍裝置及濺鍍方法

在審

• 申請號: 201910360190.0
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110029319A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 譚偉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種濺鍍裝置及濺鍍方法，所述濺鍍裝置包括：濺鍍室、粒子濺射裝置、微波發生裝置以及微波管。所述濺鍍方法包括：基板設置步驟、濺射室抽真空步驟、濺射室充氣步驟以及濺鍍步驟。本發明的技術效果在于，增加微波發生裝置，使得膜材粒子發生低壓偏置，從而減少濺射膜材粒子的能量，減少對基板的損傷。

技術領域

本發明涉及濺射領域，特別涉及一種濺鍍裝置及濺鍍方法。

背景技術

一般的OLED的基本結構是由銦錫氧化物(ITO)與電極正極(Anode)相連，再加上金屬陰極(cathode)，包成如三明治的結構。整個結構層包括：空穴傳輸層(HTL)、發光層(EL)與電子傳輸層(ETL)，當電力供應至適當電壓時，正極空穴與陰極電荷就會在發光層中結合，形成的激子最終導致可見光的發射，而有機電致發光顯示裝置(OLED)電極的制作方法一般采用蒸鍍裝置或者濺射裝置制作，當采用頂發光的器件結構就需要使用高透過率的透明氧化物(TCO)，這種膜層一般需要濺射裝置來沉積。隨著OLED顯示屏應用的越來越廣泛，濺射裝置及電極的制作方法也會應用越多。

如圖1所示，目前的磁控濺射裝置包括濺射室100和粒子濺射裝置，濺射室100包括鍍膜區110和濺射區120，所述粒子濺射裝置包括：靶材210、冷卻裝置220和強磁鐵230，在高真空環境下，向濺射室100通入惰性氣體如氬氣，然后在陰陽兩極施加電壓，氣體電離發生輝光放電形成等離子體，在磁場作用下轟擊靶材210表面，從而濺射出靶材粒子和二次電子，而濺射出來的靶材粒子具有高能量，高能量靶材粒子撞擊基板表面形成所需的金屬膜層。

我們通常制作OLED陰極(Cathode)時，下面會有有機膜層，高能量的靶材粒子就會對有機膜層造成損傷，而且高能量的靶材撞擊基板也會產生大量的熱量，過高的溫度同樣會損傷有機膜層，從而影響整個OLED器件的性能。

發明內容

本發明的目的在于，解決現有技術中濺鍍沉積OLED陰極制程中存在的高能量的靶材粒子損傷有機膜層、影響面板良率等技術問題。

為實現上述目的，本發明提供一種濺鍍裝置，包括：濺鍍室，其內部為一空腔，包括鍍膜區及濺射區；粒子濺射裝置，設于所述濺射區內，用以向所述鍍膜區內濺射膜材粒子；微波發生裝置，設于所述濺射室外部；以及微波管，設于所述濺射區內，且連通至所述微波發生裝置；所述微波管的管口朝向所述粒子濺射裝置與所述鍍膜區之間的濺射區。

進一步地，所述濺鍍裝置還包括基板移動裝置，設于所述鍍膜區內，用以在所述鍍膜區內移動基板。

進一步地，所述濺鍍裝置還包括工藝氣管，連通至所述濺射室內部的空腔。

進一步地，所述粒子濺射裝置包括靶材，可轉動式設于所述濺射區內。

進一步地，所述粒子濺射裝置還包括：靶材轉軸，所述靶材被固定至所述靶材轉軸的外部；轉軸空腔，設于所述靶材轉軸的內部；冷卻裝置，設于所述轉軸空腔內；以及強磁鐵，設于所述轉軸空腔內。

進一步地，所述粒子濺射裝置為陰極裝置；所述膜材粒子為TCO陰極粒子。

進一步地，所述微波發生裝置包括：微波發射裝置；微波傳導裝置，其一端連通至所述微波發射裝置，其另一端連通至所述微波管；以及微波調節裝置，設于所述微波傳導裝置側壁。

為實現上述目的，本發明還提供一種濺鍍方法，包括如下步驟：基板設置步驟，將一基板傳送至濺射室的鍍膜區，在所述基板表面覆蓋掩膜版；濺射室抽真空步驟，對所述濺射室的空腔進行抽真空處理；濺射室充氣步驟，將惰性氣體通過工藝氣管通入所述濺射室內；以及濺鍍步驟，啟動粒子濺射裝置及微波發生裝置，在所述基板的一表面濺鍍沉積出一膜層。

進一步地，在所述基板設置步驟之前包括：陽極層制備步驟，在一基板的上表面制備出一陽極層，所述陽極層為金屬或透明金屬氧化物；以及有機層制備步驟，在所述陽極層的上表面制備出一有機層。