[發明專利]濺鍍裝置及濺鍍方法

在審

• 申請號: 201910360190.0
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN110029319A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 譚偉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種濺鍍裝置，其特征在于，包括：

濺鍍室，其內部為一空腔，包括鍍膜區及濺射區；

粒子濺射裝置，設于所述濺射區內，用以向所述鍍膜區內濺射膜材粒子；

微波發生裝置，設于所述濺射室外部；以及

微波管，設于所述濺射區內，且連通至所述微波發生裝置；所述微波管的管

口朝向所述粒子濺射裝置與所述鍍膜區之間的濺射區。

2.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括

基板移動裝置，設于所述鍍膜區內，用以在所述鍍膜區內移動基板。

3.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括

工藝氣管，連通至所述濺射室內部的空腔。

4.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述粒子濺射裝置包括

靶材，可轉動式設于所述濺射區內。

5.如權利要求4所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述粒子濺射裝置還包括

靶材轉軸，所述靶材被固定至所述靶材轉軸的外部；

轉軸空腔，設于所述靶材轉軸的內部；

冷卻裝置，設于所述轉軸空腔內；以及

強磁鐵，設于所述轉軸空腔內。

6.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，

所述粒子濺射裝置為陰極裝置；

所述膜材粒子為TCO陰極粒子。

7.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述微波發生裝置包括

微波發射裝置；

微波傳導裝置，其一端連通至所述微波發射裝置，其另一端連通至所述微波管；以及

微波調節裝置，設于所述微波傳導裝置側壁。

8.一種濺鍍方法，其特征在于，包括如下步驟：

基板設置步驟，將一基板傳送至濺射室的鍍膜區，在所述基板表面覆蓋掩膜版；

濺射室抽真空步驟，對所述濺射室的空腔進行抽真空處理；

濺射室充氣步驟，將惰性氣體通過工藝氣管通入所述濺射室內；以及

濺鍍步驟，啟動粒子濺射裝置及微波發生裝置，在所述基板的一表面濺鍍沉積出一膜層。

9.如權利要求8所述的濺鍍方法，其特征在于，

在所述基板設置步驟之前包括：

陽極層制備步驟，在一基板的上表面制備出一陽極層，所述陽極層為金屬或透明金屬氧化物；以及

有機層制備步驟，在所述陽極層的上表面制備出一有機層。

10.如權利要求9所述的濺鍍方法，其特征在于，

所述基板設置步驟中，

所述基板蒸鍍有有機層的一側面與所述粒子濺射裝置相對設置。

11.如權利要求8所述的濺鍍方法，其特征在于，

所述濺鍍步驟中，

所述基板在所述鍍膜區內被平移；

在磁場的作用下，所述粒子濺射裝置的靶材表面產生膜材粒子；

在微波和磁場的共同作用下，

所述膜材粒子被濺射至所述基板，在所述基板表面沉積出一膜層。

12.如權利要求11所述的濺鍍方法，其特征在于，

所述濺鍍步驟中，

所述粒子濺射裝置為陰極裝置；

所述膜材粒子為TCO陰極粒子；以及

所述膜層為陰極層。