[發(fā)明專利]ESD防護(hù)薄膜晶體管及ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910357615.2
• 申請(qǐng)日: 2019-04-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110085584B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖翔;韓佰祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;王中華

本發(fā)明提供一種ESD防護(hù)薄膜晶體管及ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)。所述ESD防護(hù)薄膜晶體管包括：基板、設(shè)于所述基板上的有源層、設(shè)于所述有源層及基板上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上并與所述有源層相對(duì)的柵極、設(shè)于所述柵極及柵極絕緣層上的層間絕緣層以及設(shè)于所述層間絕緣層上的間隔分布的源極及漏極；所述源極具有數(shù)個(gè)第一靜電釋放尖端，所述漏極具有分別正對(duì)所述數(shù)個(gè)第一靜電釋放尖端的數(shù)個(gè)第二靜電釋放尖端，通過(guò)在源極和漏極上設(shè)置正對(duì)的靜電釋放尖端，使得ESD防護(hù)薄膜晶體管同時(shí)具有薄膜晶體管釋放和尖端釋放兩種靜電釋放路徑，能夠提升靜電釋放效率，防止線路炸傷，保證產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種ESD防護(hù)薄膜晶體管及ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，平板顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。現(xiàn)有的平板顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid?Crystal?Display，LCD)及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(Organic?Light?EmittingDisplay，OLED)。

現(xiàn)有平板顯示裝置為了達(dá)到防靜電的目的，一般在基板上設(shè)有靜電放電(Electro-Static?Discharge，ESD)防護(hù)結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有的ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)采用具有浮柵結(jié)構(gòu)(GateFloating)的ESD防護(hù)薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor)釋放多余電荷，現(xiàn)有的ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)如圖1及圖2所示，在信號(hào)線10和公共電壓線20(Common)之間連接有ESD防護(hù)薄膜晶體管30，ESD防護(hù)薄膜晶體管30包括柵極301、源極302、漏極303及有源層304，所述柵極301及源極302部分重疊形成第一耦合電容C10和柵極301和漏極303部分重疊形成第二耦合電容C20，源極302電性連接信號(hào)線10，漏極303電性連接公共電壓線20，當(dāng)信號(hào)線10或公共電壓線20上累積的靜電過(guò)高時(shí)會(huì)對(duì)第一耦合電容C10或第二耦合電容C20充電，使得ESD防護(hù)薄膜晶體管30的柵極301電壓上升，進(jìn)而導(dǎo)通ESD防護(hù)薄膜晶體管30，完成靜電釋放。

為了保證靜電釋放效果，需要盡可能的減少ESD防護(hù)薄膜晶體管30的漏電流，所述ESD防護(hù)薄膜晶體管30的漏電流與其溝道寬度W及溝道長(zhǎng)度L有關(guān)，溝道寬度W越小，漏電越小，溝道長(zhǎng)度L越大，漏電流越小，為了減小漏電流，現(xiàn)有技術(shù)中，通常會(huì)將ESD防護(hù)薄膜晶體管30的溝道寬長(zhǎng)比(W/L)設(shè)計(jì)的很小(如6：200)，當(dāng)線路中產(chǎn)生靜電并通過(guò)ESD防護(hù)薄膜晶體管30的釋放時(shí)，過(guò)低的寬長(zhǎng)比又會(huì)導(dǎo)致釋放不夠迅速，而炸傷線路，降低產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種ESD防護(hù)薄膜晶體管，能夠提升靜電釋放效率，防止線路炸傷，保證產(chǎn)品良率。

本發(fā)明的目的還在于提供一種ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)，能夠提升靜電釋放效率，防止線路炸傷，保證產(chǎn)品良率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種ESD防護(hù)薄膜晶體管，包括：基板、設(shè)于所述基板上的有源層、設(shè)于所述有源層及基板上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上并與所述有源層相對(duì)的柵極、設(shè)于所述柵極及柵極絕緣層上的層間絕緣層以及設(shè)于所述層間絕緣層上的間隔分布的源極及漏極；

所述源極具有數(shù)個(gè)第一靜電釋放尖端，所述漏極具有分別正對(duì)所述數(shù)個(gè)第一靜電釋放尖端的數(shù)個(gè)第二靜電釋放尖端。

所述源極和漏極均為U形；

所述源極具有2個(gè)分別位于所述源極的兩端部的第一靜電釋放尖端，所述漏極具有2個(gè)分別位于所述漏極的兩端部的第二靜電釋放尖端。

所述有源層的材料為非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體。

貫穿所述述層間絕緣層及柵極絕緣層設(shè)有第一過(guò)孔及第二過(guò)孔，所述源極及漏極分別通過(guò)所述第一過(guò)孔及第二過(guò)孔與有源層的兩端接觸。