[發(fā)明專利]ESD防護薄膜晶體管及ESD防護結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910357615.2
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110085584B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設計）人: 肖翔;韓佰祥
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;王中華

1.一種ESD防護薄膜晶體管，其特征在于，包括：基板(1)、設于所述基板(1)上的有源層(2)、設于所述有源層(2)及基板(1)上的柵極絕緣層(3)、設于所述柵極絕緣層(3)上并與所述有源層(2)相對的柵極(4)、設于所述柵極(4)及柵極絕緣層(3)上的層間絕緣層(5)以及設于所述層間絕緣層(5)上的間隔分布的源極(6)及漏極(7)；

所述源極(6)具有數(shù)個第一靜電釋放尖端(60)，所述漏極(7)具有分別正對所述數(shù)個第一靜電釋放尖端(60)的數(shù)個第二靜電釋放尖端(70)；

所述源極(6)與所述柵極(4)至少部分交疊形成第一耦合電容(C1)，所述漏極(7)與所述柵極(4)至少部分交疊形成第二耦合電容(C2)，以通過所述第一耦合電容(C1)或第二耦合電容(C2)的作用向所述柵極(4)傳遞電壓，導通所述ESD防護薄膜晶體管進行靜電釋放。

2.如權利要求1所述的ESD防護薄膜晶體管，其特征在于，所述源極(6)和漏極(7)均為U形；

所述源極(6)具有2個分別位于所述源極(6)的兩端部的第一靜電釋放尖端(60)，所述漏極(7)具有2個分別位于所述漏極(7)的兩端部的第二靜電釋放尖端(70)。

3.如權利要求1所述的ESD防護薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層(2)的材料為非晶硅、多晶硅或氧化物半導體。

4.如權利要求1所述的ESD防護薄膜晶體管，其特征在于，貫穿所述層間絕緣層(5)及柵極絕緣層(3)設有第一過孔(81)及第二過孔(82)，所述源極(6)及漏極(7)分別通過所述第一過孔(81)及第二過孔(82)與有源層(2)的兩端接觸。

5.一種ESD防護結構，其特征在于，包括信號線(100)、公共電壓線(200)及ESD防護薄膜晶體管(T)；

所述ESD防護薄膜晶體管(T)包括：基板(1)、設于所述基板(1)上的有源層(2)、設于所述有源層(2)及基板(1)上的柵極絕緣層(3)、設于所述柵極絕緣層(3)上并與所述有源層(2)相對的柵極(4)、設于所述柵極(4)及柵極絕緣層(3)上的層間絕緣層(5)以及設于所述層間絕緣層(5)上的間隔分布的源極(6)及漏極(7)；

所述源極(6)具有數(shù)個第一靜電釋放尖端(60)，所述漏極(7)具有分別正對所述數(shù)個第一靜電釋放尖端(60)的數(shù)個第二靜電釋放尖端(70)；

所述源極(6)及漏極(7)分別電性連接所述信號線(100)和所述公共電壓線(200)；

所述源極(6)與所述柵極(4)至少部分交疊形成第一耦合電容(C1)，所述漏極(7)與所述柵極(4)至少部分交疊形成第二耦合電容(C2)，以通過所述第一耦合電容(C1)或第二耦合電容(C2)的作用向所述柵極(4)傳遞電壓，導通所述ESD防護薄膜晶體管進行靜電釋放。

6.如權利要求5所述的ESD防護結構，其特征在于，所述源極(6)和漏極(7)均為U形；

所述源極(6)具有2個分別位于所述源極(6)的兩端部的第一靜電釋放尖端(60)，所述漏極(7)具有2個分別位于所述漏極(7)的兩端部的第二靜電釋放尖端(70)。

7.如權利要求5所述的ESD防護結構，其特征在于，所述有源層(2)的材料為非晶硅、多晶硅或氧化物半導體。

8.如權利要求5所述的ESD防護結構，其特征在于，貫穿所述層間絕緣層(5)及柵極絕緣層(3)設有第一過孔(81)及第二過孔(82)，所述源極(6)及漏極(7)分別通過所述第一過孔(81)及第二過孔(82)與有源層(2)的兩端接觸。