[發(fā)明專利]速率監(jiān)控裝置、蒸鍍設(shè)備及蒸鍍方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910356905.5 | 申請日: | 2019-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110257791B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳海濤 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/54 | 分類號(hào): | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 黃溪;劉芳 |
| 地址: | 215300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 速率 監(jiān)控 裝置 設(shè)備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種速率監(jiān)控裝置、蒸鍍設(shè)備及蒸鍍方法。本發(fā)明的速率監(jiān)控裝置,包括擋板組件、膜厚檢測組件和多個(gè)晶振片,擋板組件包括本體、開設(shè)于本體上的第一開口和第二開口,以及設(shè)置于本體上的用于封閉和暴露所述第二開口的第一擋板,所述本體遮擋所述多個(gè)晶振片,所述第一開口暴露一所述晶振片,所述第二開口暴露所述另一所述晶振片,所述膜厚檢測組件用于檢測所述第一開口暴露出的所述晶振片上所沉積蒸鍍材料層的膜厚,以確定所述蒸鍍速率。本發(fā)明蒸鍍時(shí)的生產(chǎn)效率較高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種速率監(jiān)控裝置、蒸鍍設(shè)備及蒸鍍方法。
背景技術(shù)
目前,在通過真空蒸鍍工藝制備有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)的過程中,常利用晶振系統(tǒng)監(jiān)控蒸鍍腔室內(nèi)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,再通過調(diào)節(jié)蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,控制蒸鍍所形成有機(jī)發(fā)光材料膜層的厚度。
目前的晶振系統(tǒng)中具有多個(gè)晶振片,晶振片上沉積材料時(shí),晶振片的振動(dòng)頻率會(huì)隨晶振片的質(zhì)量改變而變化,以實(shí)現(xiàn)監(jiān)控蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率。具體的,晶振系統(tǒng)具有多個(gè)隱藏在擋板后的晶振片,每次通過移動(dòng)晶振座暴露出一個(gè)晶振片來進(jìn)行材料沉積以實(shí)現(xiàn)檢測蒸發(fā)速率,在這個(gè)晶振片沉積至一定程度后,切換使用另一晶振片,以使得晶振系統(tǒng)能夠長時(shí)間監(jiān)控蒸發(fā)速率。
然而,進(jìn)行蒸鍍時(shí),鎂、鐿等待蒸鍍的金屬材料在晶振片上附著性不好,所以要在連續(xù)生產(chǎn)前對所有晶振片逐個(gè)進(jìn)行預(yù)沉積,每個(gè)晶振片的預(yù)沉積需耗時(shí)十幾分鐘,這導(dǎo)致晶振系統(tǒng)需等待很長時(shí)間才能應(yīng)用至真空蒸鍍工藝中,嚴(yán)重降低了真空蒸鍍效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種速率監(jiān)控裝置、蒸鍍設(shè)備及蒸鍍方法,蒸鍍時(shí)的生產(chǎn)效率較高。
第一方面,本發(fā)明提供一種速率監(jiān)控裝置,用于監(jiān)控蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率,所述速率監(jiān)控裝置包括擋板組件、膜厚檢測組件和多個(gè)晶振片,擋板組件包括本體,開設(shè)于本體上的第一開口和第二開口,以及設(shè)置于本體上的用于封閉和暴露第二開口的第一擋板,本體遮擋多個(gè)晶振片,第一開口暴露一晶振片,第二開口暴露另一晶振片,膜厚檢測組件用于檢測第一開口暴露出的晶振片上所沉積蒸鍍材料層的膜厚,以確定蒸鍍速率。
第二方面,本發(fā)明提供一種蒸鍍設(shè)備,包括蒸鍍源和如上所述的速率監(jiān)控裝置,速率監(jiān)控裝置內(nèi)第一開口和第二開口面對蒸鍍源。
第三方面,本發(fā)明提供一種蒸鍍方法,該方法通過上述蒸鍍設(shè)備進(jìn)行蒸鍍,該方法包括以下步驟:先啟動(dòng)蒸鍍源進(jìn)行蒸鍍;然后通過膜厚檢測組件檢測第一開口暴露出的晶振片上所沉積蒸鍍材料層的膜厚,以確定蒸鍍速率;再通過第一擋板暴露出第二開口,以使得第二開口所暴露出的另一晶振片進(jìn)行預(yù)沉積;最后在另一晶振片預(yù)沉積膜厚滿足預(yù)設(shè)預(yù)沉積標(biāo)準(zhǔn)時(shí),通過第一擋板封閉第二開口。
本發(fā)明的速率監(jiān)控裝置、蒸鍍設(shè)備及蒸鍍方法,速率監(jiān)控裝置用于監(jiān)控蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率,速率監(jiān)控裝置包括擋板組件、膜厚檢測組件和多個(gè)晶振片,擋板組件包括本體,開設(shè)于本體上的第一開口和第二開口,以及設(shè)置于本體上的用于封閉和暴露第二開口的第一擋板,本體遮擋多個(gè)晶振片,第一開口暴露一晶振片,第二開口暴露另一晶振片,膜厚檢測組件用于檢測第一開口暴露出的晶振片上所沉積蒸鍍材料層的膜厚,以確定蒸鍍速率。這樣第二開口可以在晶振片切換前的預(yù)設(shè)時(shí)間段開啟,以使待切換晶振片在切換前進(jìn)行材料膜層的預(yù)沉積,待切換的晶振片切換至檢測位置后,就可以直接進(jìn)行蒸鍍速率監(jiān)控任務(wù),而不需要再等待膜層的預(yù)沉積過程,因而節(jié)省了工序時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的速率監(jiān)控裝置所在的蒸鍍設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖;
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 多級校內(nèi)監(jiān)控系統(tǒng)
- 多級校內(nèi)監(jiān)控系統(tǒng)
- 一種范圍廣、力度大的校內(nèi)監(jiān)控系統(tǒng)
- 一種監(jiān)控的方法及系統(tǒng)
- 設(shè)備的監(jiān)控方法、裝置、系統(tǒng)和空調(diào)
- 多級校內(nèi)監(jiān)控系統(tǒng)
- 設(shè)備監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
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