[發明專利]有機發光二極管顯示屏及其制作方法在審
| 申請號: | 201910356808.6 | 申請日: | 2019-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN110098231A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發明(設計)人: | 黃曉雯;龔文亮 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光二極管顯示屏 偏光層 凹凸結構 制作 偏光層表面 功能層 可視角 表面設置 室外太陽 顯示面板 出光率 發光層 反射率 光阻層 可改變 偏光片 閱讀性 基板 背離 閱讀 替代 | ||
本發明提供一種有機發光二極管顯示屏及其制作方法。有機發光二極管顯示屏包括基板、功能層和偏光層。其中,所述偏光層由光阻層組成,在所述偏光層背離所述功能層的表面設置凹凸結構。有機發光二極管顯示屏的制作方法包括步驟:制作顯示面板和制作偏光層。本發明采用偏光層替代偏光片,并在偏光層表面設計凹凸結構,降低了偏光層表面的反射率的同時提高了發光層的出光率。并且凹凸結構可改變出光角度,增加可視角,改善了現有有機發光二極管顯示屏可視角窄、影響閱讀性的問題,并改善了有機發光二極管顯示屏在室外太陽光下可閱讀能力差的問題。
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種有機發光二極管顯示屏及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示技術因為具有自發光、低功耗、輕薄、沒有液晶流動層等優點得以在柔性顯示屏中得到應用。柔性OLED顯示屏通常包括基于基板的薄膜晶體管層(TFT),發光層,基于多層薄膜的封裝層,圓偏光片(POL)。對于頂發光OLED顯示屏來說,圓偏光片可以起到減少環境光的反射率,增加對比度,改善OLED顯示屏室外可閱讀性的作用,但同時也會損耗約58%的出光;另外其厚度大、質地脆,限制了動態可彎折顯示產品的開發。
使用偏光層(Color Filter,CF)替代偏光片(POL)的被歸屬為POL-less技術,它不僅能將功能層的厚度從大約100μm降低至約5μm;而且能夠將OLED的出光率從42%提高至60%。
在彩膜的功能層中,黑色矩陣(BM)覆蓋于非發光區域遮蓋住金屬線及電極,承擔著降低面板反射的作用。然而,相對于偏光片(反射率約4.5%),偏光層(R/G/B/BM)的表面反射率仍然較高(反射率約7.1%),在強光下的對比度較低。常規的黑色矩陣具有較高的反射率,限制了彩膜技術光學性能,造成窄視角的問題。
因此,有必要提供一種新的有機發光二極管顯示屏及其制作方法,以克服現有技術存在的問題。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種有機發光二極管顯示屏及其制作方法,可通過降低黑色矩陣的反射率,提高發光層通過偏光層的出光率,還能夠通過表面凹凸結構改善窄視角問題。
為了解決上述問題,本發明一實施例中提供一種有機發光二極管顯示屏,包括基板、功能層和偏光層。具體地講,所述基板具有相背設置的第一表面和第二表面;所述功能層設于所述基板的第一表面;所述偏光層設于所述功能層背離所述基板的第一表面的一側;其中,所述偏光層由光阻層組成,在所述偏光層背離所述功能層的表面設置凹凸結構。
進一步的,所述有機發光二極管顯示屏還包括封裝層,所述封裝層設于所述功能層與所述偏光層之間。
進一步的,所述凹凸結構的橫截面呈鋸齒型。
進一步的,所述凹凸結構的凹槽或凸起的橫截面呈梯形或柱形。
進一步的,所述功能層包括薄膜晶體管層和發光層。具體地講,所述薄膜晶體管層設于所述基板上;所述發光層設于所述薄膜晶體管層背離所述基板一側上。
進一步的,所述發光層包括像素定義層和紅綠藍發光層。
進一步的,所述偏光層包括黑色光阻層和紅綠藍濾光層。具體地講,所述黑色光阻層與所述像素定義層相應設置;所述紅綠藍濾光層分別與所述紅綠藍發光層相應設置。
本發明又一實施例中提供一種有機發光二極管顯示屏的制作方法,包括步驟:
制作顯示面板,其為提供一基板,在所述基板上制作功能層;以及
制作偏光層,在所述功能層背離所述基板的表面上形成偏光層,并在所述偏光層背離所述功能層的表面設置凹凸結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





