[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示屏及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910356808.6 | 申請日: | 2019-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN110098231A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃曉雯;龔文亮 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機發(fā)光二極管顯示屏 偏光層 凹凸結(jié)構(gòu) 制作 偏光層表面 功能層 可視角 表面設(shè)置 室外太陽 顯示面板 出光率 發(fā)光層 反射率 光阻層 可改變 偏光片 閱讀性 基板 背離 閱讀 替代 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管顯示屏,包括:
一基板,具有相背設(shè)置的第一表面和第二表面;
一功能層,設(shè)于所述基板的第一表面;以及
一偏光層,設(shè)于所述功能層背離所述基板的第一表面的一側(cè);
其中,所述偏光層由光阻層組成,在所述偏光層背離所述功能層的表面設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示屏,其特征在于,還包括封裝層,所述封裝層設(shè)于所述功能層與所述偏光層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示屏,其特征在于,所述凹凸結(jié)構(gòu)的橫截面呈鋸齒型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示屏,其特征在于,所述凹凸結(jié)構(gòu)的凹槽或凸起的橫截面呈梯形或柱形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示屏,其特征在于,所述功能層包括
薄膜晶體管層,設(shè)于所述基板上;以及
發(fā)光層,設(shè)于所述薄膜晶體管層背離所述基板一側(cè)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示屏,其特征在于,所述發(fā)光層包括像素定義層和紅綠藍發(fā)光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示屏,其特征在于,所述偏光層包括
黑色光阻層,與所述像素定義層相應(yīng)設(shè)置;以及
紅綠藍濾光層,分別與所述紅綠藍發(fā)光層相應(yīng)設(shè)置。
8.一種如權(quán)利要求1-7任一項所述的有機發(fā)光二極管顯示屏的制作方法,其特征在于,包括步驟:
制作顯示面板,其為提供一基板,在所述基板上制作功能層;以及
制作偏光層,在所述功能層背離所述基板的表面上形成偏光層,并在所述偏光層背離所述功能層的表面設(shè)置凹凸結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管顯示屏的制作方法,其特征在于,在所述制作顯示面板和所述制作偏光層之間還包括:
制作封裝層,在所述功能層背離所述基板的表面上形成封裝層,在所述封裝層背離所述功能層的表面上形成所述偏光層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管顯示屏的制作方法,其特征在于,所述制作偏光層的步驟包括:
制作黑色光阻層,在所述封裝層上涂布正性或負性黑色光阻層,使用第一掩膜板曝光進行圖形化處理;使用第二掩膜板對剩余的黑色光阻層進行曝光,使其表面形成所述凹凸結(jié)構(gòu);
進行烘烤處理;以及
制作紅綠藍濾光層,在所述封裝層上涂布正性或負性紅綠藍濾光層,使用第三掩膜板對所述紅綠藍濾光層進行曝光,使其表面形成所述凹凸結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





