[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201910356516.2
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110767750A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 司空炫哲;裵相友;崔琦鉉;樸浚均;鄭旭珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙南;張青

提供半導體器件。半導體器件包括：襯底；第一鰭型圖案和第二鰭型圖案，其從襯底的上表面突出并彼此隔開；第一鰭型圖案上的第一半導體圖案；第二鰭型圖案上的第二半導體圖案；和第一半導體圖案和第二半導體圖案之間的阻擋圖案，第一半導體圖案的一部分插入到阻擋圖案中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年7月27日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0087828的權益，其公開內容以其整體通過引用合并于此。

技術領域

本發明構思涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術

近來，半導體器件已經是小型化的且已經在性能上得到改善。因此，半導體器件中包括的晶體管的小的結構差異非常影響半導體器件的性能。

另一方面，隨著半導體器件小型化，相鄰晶體管的源極/漏極區域可能彼此短路。

發明內容

本發明構思的方面提供用于制造半導體器件的方法，其能夠通過防止相鄰晶體管的源極/漏極區域的短路來改善半導體器件的良率而不減小晶體管的源極/漏極的大小。

本發明構思的方面不限于上述那些，且沒提到的其他方面可由本領域技術人員根據下面的描述清楚的理解。

根據本發明構思的一些實施例，提供半導體器件，包括：襯底；第一鰭型圖案和第二鰭型圖案，其從襯底的上表面突出并彼此隔開；第一鰭型圖案上的第一半導體圖案；第二鰭型圖案上的第二半導體圖案；和第一半導體圖案和第二半導體圖案之間的阻擋圖案，第一半導體圖案的一部分插入到阻擋圖案中。

根據本發明構思的一些實施例，提供半導體器件，包括：襯底上的第一鰭型圖案和第二鰭型圖案，其突出以沿第一方向延伸且彼此隔開；第一鰭型圖案上的第一柵極結構，其沿與第一方向不同的第二方向延伸；第一半導體圖案，其設置在第一柵極結構的至少一側上且設置在第一鰭型圖案上；第二鰭型圖案上的第二柵極結構，其沿第二方向延伸且與第一柵極結構隔開；第二半導體圖案，其設置在第二柵極結構的至少一側上且設置在第二鰭型圖案上；和阻擋圖案，其設置在第一半導體圖案和第二半導體圖案之間且設置在第一柵極結構和第二柵極結構之間，其中，第一半導體圖案的一部分插入到阻擋圖案中。

根據本發明構思的一些實施例，提供半導體器件，包括：第一晶體管，其包括第一柵極結構和第一半導體圖案，第一半導體圖案設置在第一柵極結構的至少一側上；第二晶體管，其包括第二柵極結構和第二半導體圖案，第二半導體圖案設置在第二柵極結構的至少一側上；和第一半導體圖案和第二半導體圖案之間的阻擋圖案，其中，第一半導體圖案的一部分插入到阻擋圖案中。

附圖說明

本發明構思的上述和其他方面及特征將通過參考附圖詳細描述其示例性實施例而變得更明顯，在附圖中：

圖1是根據本發明構思的技術思想的一些實施例的半導體器件的布局圖；

圖2是沿圖1的線A-A’截取的截面圖；

圖3是圖2的區域K的放大圖；

圖4是沿圖1的線B-B’截取的截面圖；

圖5是沿圖1的線A-A’截取的截面圖；

圖6是圖5的區域J的放大圖；

圖7是沿圖1的線B-B’截取的截面圖；

圖8是根據本發明構思的技術思想的一些實施例的半導體器件的布局圖；

圖9是沿圖8的線C-C’截取的截面圖；

圖10是沿圖8的線C-C’截取的截面圖；

圖11是根據本發明構思的技術思想的一些實施例的半導體器件的布局圖；