[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201910356516.2
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110767750A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 司空炫哲;裵相友;崔琦鉉;樸浚均;鄭旭珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一鰭型圖案和第二鰭型圖案，所述第一鰭型圖案和第二鰭型圖案從所述襯底的上表面突出并彼此隔開；

第一半導體圖案，其位于所述第一鰭型圖案上；

第二半導體圖案，其位于所述第二鰭型圖案上；和

阻擋圖案，其位于所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案之間，

所述第一半導體圖案的一部分插入到所述阻擋圖案中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

位于所述襯底上的場絕緣膜，其包住所述第一鰭型圖案和所述第二鰭型圖案中的每個的至少一部分；和

層間絕緣膜，其設置在所述場絕緣膜上且覆蓋所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案，

其中，所述阻擋圖案設置在所述層間絕緣膜中且延伸到所述場絕緣膜的上表面。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

位于所述襯底上的場絕緣膜，其包住所述第一鰭型圖案和所述第二鰭型圖案中的每個的至少一部分；和

層間絕緣膜，其設置在所述場絕緣膜上且覆蓋所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案，

所述阻擋圖案設置在所述層間絕緣膜中且設置為與所述場絕緣膜的上表面隔開。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一鰭型圖案和所述第二鰭型圖案沿第一方向延伸，

所述半導體器件還包括：

位于所述第一鰭型圖案上的第一柵極結構，其沿與所述第一方向不同的第二方向延伸；和

位于所述第二鰭型圖案上的第二柵極結構，其沿所述第二方向延伸且與所述第一柵極結構隔開；

所述第一半導體圖案設置在所述第一柵極結構的至少一側上，

所述第二半導體圖案設置在所述第二柵極結構的至少一側上，以及

所述阻擋圖案在所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間沿所述第一方向延伸。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述阻擋圖案與所述第二柵極結構隔開。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一柵極結構的一部分插入到所述阻擋圖案中，以及

所述阻擋圖案接觸所述第二柵極結構。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

第一晶體管，其包括所述第一柵極結構和所述第一半導體圖案，以及

第二晶體管，其包括所述第二柵極結構和所述第二半導體圖案，

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管是不同類型的晶體管。

8.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

第一晶體管，其包括所述第一柵極結構和所述第一半導體圖案，以及

第二晶體管，其包括所述第二柵極結構和所述第二半導體圖案，

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管是相同類型的晶體管。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一鰭型圖案和所述第二鰭型圖案沿所述第一方向延伸，

所述半導體器件還包括：

位于所述第一鰭型圖案和所述第二鰭型圖案上的柵極結構，其沿與所述第一方向不同的第二方向延伸，

其中，所述第一半導體圖案、所述第二半導體圖案和所述阻擋圖案設置在所述柵極結構的一側上。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述柵極結構包括與所述第一鰭型圖案重疊的第一部分和與所述第二鰭型圖案重疊的第二部分，以及

通過所述柵極結構的第一部分和所述第一半導體圖案形成的第一晶體管與通過所述柵極結構的第二部分和所述第二半導體圖案形成的第二晶體管的類型不同。