[發(fā)明專利]一種高分辨率AMOLED顯示結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910353732.1
• 申請(qǐng)日: 2019-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN110112143A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84
• 代理公司: 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高分辨率AMOLED顯示結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)，所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)包括玻璃層、第一金屬層、第一絕緣層、第一半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、第二半導(dǎo)體層、第三金屬層、第四絕緣層、第一有機(jī)層、第四金屬層、第二有機(jī)層和第五金屬層，通過將第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層設(shè)置在不同結(jié)構(gòu)層，能夠縮小亞像素補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)需求的尺寸，從而提升面板的分辨率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高分辨率AMOLED顯示結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light-emitting diode，縮寫為AMOLED)，隨著AMOLED屏幕快速搶占市場(chǎng)，如何提升AMOLED顯示屏分辨率及顯示品質(zhì)顯得非常迫切?，F(xiàn)有AMOLED補(bǔ)償電路TFT半導(dǎo)體層均位于同層，其中AMOLED補(bǔ)償電路中OLED驅(qū)動(dòng)TFT希望擁有適合的亞閾值擺幅，有利于調(diào)整AMOLED灰階顯示(工作于線性區(qū))，但其它TFT又希望擁有小的亞閾值擺幅(工作于飽和區(qū))以實(shí)現(xiàn)快速Vth補(bǔ)償響應(yīng)，這兩類TFT對(duì)亞閾值擺幅的需求彼此矛盾。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種高分辨率AMOLED顯示結(jié)構(gòu)及其制備方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案為：

一種高分辨率AMOLED顯示結(jié)構(gòu)，包括TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)，所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)包括玻璃層，在所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層表面上依次層疊設(shè)置有第一金屬層、第一絕緣層、第一半導(dǎo)體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、第二半導(dǎo)體層、第三金屬層、第四絕緣層、第一有機(jī)層、第四金屬層、第二有機(jī)層和第五金屬層，所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的第二絕緣層上設(shè)有第一過孔，所述第一過孔中填充有第二金屬層，所述第二金屬層分別與所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層的一側(cè)面和所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的第二絕緣層遠(yuǎn)離所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層的一側(cè)面接觸，所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的第四絕緣層上設(shè)有第二過孔，所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的第一有機(jī)層上設(shè)有第三過孔，所述第二過孔與所述第三過孔相對(duì)設(shè)置且連通，所述第二過孔和第三過孔中均填充有第四金屬層，所述第四金屬層與所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的第三金屬層遠(yuǎn)離所述TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層的一側(cè)面接觸。

本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案為：

一種高分辨率AMOLED顯示結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

S1、提供一TFT區(qū)域結(jié)構(gòu)的玻璃層，且在玻璃層表面上覆蓋有第一金屬層；

S2、形成第一絕緣層，且覆蓋于所述第一金屬層表面；

S3、形成第一半導(dǎo)體層，且覆蓋于所述第二絕緣層表面；

S4、形成第二絕緣層，且覆蓋于所述第一絕緣層表面，在所述第二絕緣層中形成第一過孔；

S5、在第一過孔中形成第二金屬層，所述第二金屬層與所述第一半導(dǎo)體層接觸；

S6、形成第三絕緣層，且覆蓋于所述第二金屬層表面；

S7、形成第二半導(dǎo)體層，且覆蓋于所述第三絕緣層表面；

S8、形成第三金屬層，且覆蓋于所述第二半導(dǎo)體層表面；

S9、形成第四絕緣層，且覆蓋于所述第三金屬層表面，在所述第四絕緣層中形成第二過孔；

S10、形成第一有機(jī)層，且覆蓋于所述第四絕緣層表面，在所述第一有機(jī)層中形成第三過孔，所述第三過孔與所述第二過孔相對(duì)設(shè)置且連通；

S11、分別在第二過孔和第三過孔中形成第四金屬層，所述第四金屬層覆蓋于所述第一有機(jī)層表面且與所述第三金屬層遠(yuǎn)離玻璃層的一側(cè)面接觸；