[發明專利]一種高分辨率AMOLED顯示結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201910353732.1
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110112143A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

1.一種高分辨率AMOLED顯示結構，包括TFT區域結構，其特征在于，所述TFT區域結構包括玻璃層，在所述TFT區域結構的玻璃層表面上依次層疊設置有第一金屬層、第一絕緣層、第一半導體層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、第二半導體層、第三金屬層、第四絕緣層、第一有機層、第四金屬層、第二有機層和第五金屬層，所述TFT區域結構的第二絕緣層上設有第一過孔，所述第一過孔中填充有第二金屬層，所述第二金屬層分別與所述TFT區域結構的第一半導體層遠離所述TFT區域結構的玻璃層的一側面和所述TFT區域結構的第二絕緣層遠離所述TFT區域結構的玻璃層的一側面接觸，所述TFT區域結構的第四絕緣層上設有第二過孔，所述TFT區域結構的第一有機層上設有第三過孔，所述第二過孔與所述第三過孔相對設置且連通，所述第二過孔和第三過孔中均填充有第四金屬層，所述第四金屬層與所述TFT區域結構的第三金屬層遠離所述TFT區域結構的玻璃層的一側面接觸。

2.根據權利要求1所述的高分辨率AMOLED顯示結構，其特征在于，所述TFT區域結構還包括第五絕緣層，所述第五絕緣層設置在所述TFT區域結構的第三絕緣層和第三金屬層之間，且分別與所述TFT區域結構的第二半導體層、TFT區域結構的第三絕緣層遠離TFT區域結構的玻璃層的一側面和TFT區域結構的第三金屬層靠近TFT區域結構的玻璃層的一側面接觸，所述第五絕緣層上設有第四過孔，所述第四過孔中填充有第三金屬層，所述第三金屬層與所述TFT區域結構的第二半導體層遠離TFT區域結構的玻璃層的一側面接觸。

3.根據權利要求1所述的高分辨率AMOLED顯示結構，其特征在于，還包括電容區域結構，所述電容區域結構包括玻璃層，在所述電容區域結構的玻璃層表面上依次層疊設置有第一金屬層、第一絕緣層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層、第三金屬層、第四絕緣層、第一有機層、第四金屬層、第二有機層和第五金屬層，所述電容區域結構的第一絕緣層上設有第五過孔，所述電容區域結構的第二絕緣層上設有第六過孔，所述電容區域結構的第三絕緣層上設有第七過孔，所述第五過孔、第六過孔和第七過孔相對設置且連通，所述第五過孔、第六過孔和第七過孔中均填充有第三金屬層，所述第三金屬層與所述電容區域結構的第一金屬層遠離電容區域結構的玻璃層的一側面接觸。

4.根據權利要求3所述的高分辨率AMOLED顯示結構，其特征在于，所述電容區域結構還包括第五絕緣層，所述第五絕緣層設置在所述電容區域結構的第三絕緣層和第三金屬層之間，且分別與所述電容區域結構的第三絕緣層遠離電容區域結構的玻璃層的一側面和電容區域結構的第三金屬層靠近電容區域結構的玻璃層的一側面接觸，所述第五絕緣層上設有第八過孔，所述第八過孔中填充有第三金屬層。

5.根據權利要求3-4任意一項所述的高分辨率AMOLED顯示結構，其特征在于，所述電容區域結構的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層構成電容器的三個極板。

6.根據權利要求1所述的高分辨率AMOLED顯示結構，其特征在于，所述TFT區域結構的第二有機層上設有第九過孔，所述第九過孔中填充有有機發光材料層，所述有機發光材料層與所述TFT區域結構的第四金屬層遠離所述TFT區域結構的玻璃層的一側面接觸。