[發明專利]拍攝裝置

在審

• 申請號: 201910353663.4
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110556391A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 佐藤好弘;平瀨順司
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 呂文卓

本發明用于減小成為噪聲的原因的漏電流。本發明的拍攝裝置具備：對光進行光電變換而生成信號電荷的光電變換部；表面含有第一半導體層的半導體基板；作為所述第一半導體層內的第一導電型的雜質區域并蓄積所述信號電荷的電荷蓄積區域；包含所述第一半導體層內的第一導電型的第一雜質區域作為源極或漏極的第一晶體管；位于所述電荷蓄積區域與所述第一晶體管之間的阻斷結構。所述阻斷結構包含：第二雜質區域，是所述第一半導體層內的第二導電型的雜質區域，位于所述電荷蓄積區域與所述第一雜質區域之間；第一電極，位于所述第一半導體層的上方，在平面視圖中與所述第二雜質區域的至少一部分重疊，在所述電荷蓄積區域蓄積所述信號電荷的期間被施加恒定的第一電壓。

技術領域

本發明涉及拍攝裝置。

背景技術

數碼相機等廣泛采用CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合器件)圖像傳感器以及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器。眾所周知，這些圖像傳感器具有形成于半導體基板的光電二極管。

例如下述的專利文獻1和2所公開的那樣，還提出了取代光電二極管而在半導體基板的上方配置光電變換層的結構。具有這樣的結構的拍攝裝置也被稱為層疊型的拍攝裝置。在層疊型的拍攝裝置中，通過光電變換而生成的電荷作為信號電荷暫時地蓄積在形成于半導體基板的擴散區域等。與所蓄積的電荷量相應的信號經由形成于半導體基板的CCD電路或CMOS電路而被讀出。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2014/002330號

專利文獻2：國際公開第2012/147302號。

發明內容

當與表現圖像的信號電荷不同的電荷向暫時地保持信號電荷的擴散區域流入，則會成為噪聲的原因。噪聲使所得的圖像劣化。如果能夠抑制這樣的不希望的電荷的移動則是有益的。以下，有時將這樣的不希望的電荷的移動表述為漏電流。

本發明的非限定性的例示性實施方式提供以下方案。

一種拍攝裝置，具備：對光進行光電變換而生成信號電荷的光電變換部；表面含有第一半導體層的半導體基板；作為所述第一半導體層內的第一導電型的雜質區域并蓄積所述信號電荷的電荷蓄積區域；包含所述第一半導體層內的第一導電型的第一雜質區域作為源極或漏極的第一晶體管；位于所述電荷蓄積區域和所述第一晶體管之間的阻斷結構。所述阻斷結構包含：第二雜質區域，作為所述第一半導體層內的第二導電型的雜質區域，位于所述電荷蓄積區域和所述第一雜質區域之間；第一電極，位于所述第一半導體層的上方，在平面視圖中與所述第二雜質區域的至少一部分重疊，在所述電荷蓄積區域蓄積所述信號電荷的期間被施加恒定的第一電壓。

總括性或具體性的方式可以通過元件、器件、模塊、系統或方法來實現。另外，總括性或具體性的方式也可以通過元件、器件、模塊、系統以及方法的任意組合來實現。

所公開的實施方式的附加效果及優點將通過說明書及附圖得以明確。效果及/或優點由說明書及附圖所公開的各種實施方式或特征分別提供，不需要為了得到它們中的一個以上而全部需要。

發明效果

根據本發明，能夠提供減小了漏電流的拍攝裝置。

附圖說明

圖1是表示本發明的第一實施方式的拍攝裝置的例示性結構的圖。

圖2是表示本發明的第一實施方式的拍攝裝置的例示性電路結構的示意圖。

圖3是示意性地表示圖2所示的像素10A的器件結構的一例的剖面圖。

圖4是表示像素10A的各元件的布局的一例的示意性平面圖。