[發明專利]拍攝裝置

在審

• 申請號: 201910353663.4
• 申請日: 2019-04-29
• 公開（公告）號: CN110556391A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 佐藤好弘;平瀨順司
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 呂文卓

1.一種拍攝裝置，其特征在于，

具備：

光電變換部，對光進行光電變換而生成信號電荷；

半導體基板，表面包含第一半導體層；

電荷蓄積區域，是所述第一半導體層內的第一導電型的雜質區域，蓄積所述信號電荷；

第一晶體管，包含所述第一半導體層內的第一導電型的第一雜質區域作為源極或漏極；以及

阻斷結構，位于所述電荷蓄積區域與所述第一晶體管之間；

所述阻斷結構包含：

第二雜質區域，是所述第一半導體層內的第二導電型的雜質區域，位于所述電荷蓄積區域與所述第一雜質區域之間；以及

第一電極，位于所述第一半導體層的上方，在平面視圖中與所述第二雜質區域的至少一部分重疊，在所述電荷蓄積區域蓄積所述信號電荷的期間被施加恒定的第一電壓。

2.如權利要求1所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第二雜質區域具有位于所述半導體基板的表面的第一區域，所述第一電極在平面視圖中與所述第一區域的至少一部分重疊。

3.如權利要求1所述的拍攝裝置，其特征在于，

具備第三雜質區域，該第三雜質區域是所述第一半導體層內的第二導電型的雜質區域，與所述電荷蓄積區域相鄰。

4.如權利要求3所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述半導體基板包含：

支承基板，具有第二導電型；以及

第二半導體層，位于所述支承基板與所述第一半導體層之間，具有第一導電型。

5.如權利要求1所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第一導電型為n型。

6.如權利要求5所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第一電極包含n型的雜質，

所述第一電壓為0V或負電壓。

7.如權利要求5所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第一電極包含p型的雜質，

所述第一電壓為1V以下的電壓。

8.如權利要求1至7中任一項所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述阻斷結構包含第四雜質區域，該第四雜質區域是所述第一半導體層內的第二導電型的雜質區域，位于所述電荷蓄積區域與所述第一雜質區域之間，且不同于所述第二雜質區域。

9.如權利要求8所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第一電極在平面視圖中與所述第四雜質區域的至少一部分重疊。

10.如權利要求1所述的拍攝裝置，其特征在于，

還具備多層布線，該多層布線位于所述半導體基板的上方且包含最接近所述第一半導體層的第一布線層，

所述第一電極是所述第一布線層的一部分。

11.如權利要求10所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述半導體基板包含：

支承基板，具有第二導電型；以及

第二半導體層，位于所述支承基板與所述第一半導體層之間，具有第一導電型。

12.如權利要求10所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第一導電型是n型，

所述第一電壓為基板電位以下的電壓。

13.如權利要求12所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述多層布線包含第二布線層，該第二布線層比所述第一布線層遠離所述半導體基板，

所述第二布線層的一部分在平面視圖中覆蓋所述電荷蓄積區域以及所述第一雜質區域，被施加所述基板電位以上的電壓。

14.如權利要求10所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述第一導電型是p型，

所述第一電壓為基板電位以上的電壓。

15.如權利要求14所述的拍攝裝置，其特征在于，

所述多層布線包含第二布線層，該第二布線層比所述第一布線層遠離所述半導體基板，

所述第二布線層的一部分在平面視圖中覆蓋所述電荷蓄積區域以及所述第一雜質區域，被施加所述基板電位以下的電壓。