[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201910349745.1
• 申請日: 2019-04-28
• 公開（公告）號: CN111384013B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 林智清
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體結構，包括：

一基底；

多個金屬柱，設置在該基底的上方；

多個金屬突起，從該金屬柱的一上表面延伸；

一蓋層，設置在該金屬突起的上方；以及

一鈍化層，設置在該金屬突起和該蓋層的一側壁的上方，

其中該鈍化層的一外圍與該金屬柱的該側壁連續。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該金屬突起的該側壁與該金屬柱的該側壁不連續。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其中該金屬突起的一寬度實質上小于該金屬柱的一寬度。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該金屬柱的一側壁和一底壁之間的一夾角在80度和90度的范圍內。

5.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一抗反射涂層，夾在該金屬突起和該蓋層之間。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其中該金屬突起的一高度實質上大于該抗反射涂層的一高度的兩倍。

7.如權利要求1所述的半導體結構，還包括：

一絕緣層，該絕緣層將該金屬柱與該基底分開；以及

一阻擋層，夾在該絕緣層和該金屬柱之間。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其中該鈍化層包括至少一個第一層和至少一個第二層，該第一層和該第二層交錯布置。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其中該金屬柱和金屬突起是一體形成。

10.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供一基底；

沉積一金屬層和一蓋層在該基底的上方；

圖案化該蓋層以形成多個溝槽及一剩余金屬層，其中該多個溝槽穿過該蓋層和該金屬層，該剩余金屬層包括一基部和連接到該基部的多個金屬突起；

沉積一鈍化層在該蓋層的一側壁和該金屬金屬突起的上方；以及

通過該溝槽蝕刻該基部，以在相應的該金屬突起的下方形成多個金屬柱。

11.如權利要求10所述的制造方法，其中該鈍化層的沉積包括：

在該蓋層的一頂表面、該蓋層的該側壁和該突起及該基部的一上表面上沉積該鈍化層；以及

執行一蝕刻工藝以去除該頂表面和該上表面上方的該鈍化層。

12.如權利要求11所述的制造方法，其中該基部的該上表面與該金屬突起的該側壁之間的一夾角實質上等于90度。

13.如權利要求10所述的制造方法，其中該鈍化層通過一原子層沉積工藝形成。

14.如權利要求10所述的制造方法，其中該鈍化層具有均勻的一厚度。

15.如權利要求10所述的制造方法，其中將該蓋層圖案化以形成穿過該蓋層和該金屬層的多個溝槽包括：

在蓋層上方涂覆一光刻膠層；

圖案化該光刻膠層以形成具有多個開口的光刻膠圖案；以及

去除通過該開口暴露的該蓋層的一部分。

16.如權利要求10所述的制造方法，還包括：

在基底上形成一絕緣層；以及

在沉積該金屬層之前在該絕緣層的上方沉積一阻擋層。

17.如權利要求10所述的制造方法，還包括在沉積該蓋層之前在該金屬層的上方沉積一抗反射涂層。

18.如權利要求10所述的制造方法，其中該基部的蝕刻使用Cl₂和BCl₃作為蝕刻氣體。