[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201910348458.9
• 申請日: 2019-04-28
• 公開（公告）號: CN110416377B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 陳鵬壬;邱于珊;林文祥;王士瑋;歐震
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種發光元件，其包含：一基板結構，包含一基底部，其具有一表面以及多個凸出部，多個凸出部以二維陣列方式排列于基底部的表面上；以及一緩沖層，其覆蓋于多個凸出部及表面上，其中，緩沖層包含氮化鋁材料；以及Ⅲ?Ⅴ族化合物半導體層，位于緩沖層上；其中，多個凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分，且第一部分一體成形于基底部；以及發光元件具有一(102)面的X?射線繞射(XRD)的一半高寬數值，半高寬數值小于250arcsec。

技術領域

本發明涉及一種發光元件，尤其是涉及一種具有基板結構的發光元件。

背景技術

發光二極管被廣泛地用于固態照明光源。相較于傳統的白熾燈泡和熒光燈，發光二極管具有耗電量低以及壽命長等優點，因此發光二極管已逐漸取代傳統光源，并且應用于各種領域，如交通號志、背光模塊、路燈照明、醫療設備等。

發明內容

本發明提供一種發光元件，包含：一基板結構，包含一基底部，其具有一表面以及多個凸出部，多個凸出部以二維陣列方式排列于基底部的表面上；以及一緩沖層，其覆蓋于多個凸出部及表面上，其中，緩沖層包含氮化鋁材料；其中，多個凸出部各具有一不大于1.5μm的高度；以及其中，發光元件具有一(102)面的X-射線繞射(XRD)的一半高寬數值，半高寬數值小于250arcsec。

本發明提供一種發光元件，包含：一基板結構，包含一基底部，其具有一表面以及多個凸出部，多個凸出部以二維陣列方式排列于基底部的表面上；以及一緩沖層，其覆蓋于多個凸出部及表面上，其中，緩沖層包含氮化鋁材料；以及Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層，位于緩沖層上；其中，多個凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分，且第一部分一體成形于基底部；以及發光元件具有一(102)面的X-射線繞射(XRD)的一半高寬數值，半高寬數值小于250arcsec。

一種發光元件的制法，包含以下步驟：提供一基板結構其包含一基底部其具有一表面、多個凸出部以一二維陣列方式排列于基底部的表面上；形成一氮化鋁緩沖層于基底部的表面上且覆蓋凸出部；其中，多個凸出部各具有一不大于1.5μm的高度；其中，發光元件具有一(102)之X-射線繞射(XRD)的半高寬值小于250arcsec。

本申請提供一種發光元件的制法，其包含以下步驟：提供一基底部，其中基底部具有一表面；實施一圖案化步驟，該圖案化步驟包含形成前驅層在基底部上，以及移除部分前驅層部以形成多個凸出部，其中多個凸出部以一二維陣列方式排列于基底部的表面上；形成一緩沖層于基底部上且覆蓋些凸出部，其中，緩沖層包含氮化鋁材料；以及形成Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層于緩沖層上；其中，發光元件具有一(102)面的X-射線繞射(XRD)的一半高寬數值，半高寬數值小于250arcsec。

本申請提供一種一種發光元件的制法，其包含以下步驟：提供一基材，其中基材具有一上表面；實施一圖案化步驟，以形成一基板結構，其包含基底部及多個凸出部，其中基底部包含一表面，多個凸出部以二維陣列方式排列于基底部的表面上；形成一緩沖層于基底部的表面上且覆蓋些凸出部，其中，緩沖層包含氮化鋁材料；其中，多個凸出部其中之一具有一不大于1.5μm的高度；其中，發光元件具有一(102)面的X-射線繞射(XRD)的一半高寬數值，半高寬數值小于250arcsec。

附圖說明

圖1A及圖1B為本發明發光元件的一具體實施例的示意圖；

圖2A及圖2B為本發明發光元件的一具體實施例的示意圖；

圖3A及圖3B為本發明發光元件的一具體實施例的示意圖；

圖4A及圖4B為俯視圖，分別顯示本發明發光元件基板結構不同態樣的具體實施例；

圖5A及圖5B為剖視圖，分別顯示本發明發光元件凸出部不同態樣的具體實施例。

符號說明

100、200、300 發光元件