[發明專利]發光元件有效
| 申請號: | 201910348458.9 | 申請日: | 2019-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN110416377B | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發明(設計)人: | 陳鵬壬;邱于珊;林文祥;王士瑋;歐震 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/22 | 分類號: | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 | ||
1.一種發光元件,其特征在于,該發光元件包含:
基板結構,包含基底部,其具有表面以及多個凸出部位于該基底部之上,該多個凸出部以二維陣列方式排列于該基底部的該表面上;
緩沖層,其覆蓋于該多個凸出部及該表面上,其中,該緩沖層包含氮化鋁材料;以及
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層,位于該緩沖層上;
其中,該多個凸出部各包含第一部分以及位于該第一部分上的第二部分,且該第一部分一體成形于該基底部;以及該發光元件具有一(102)面的X-射線繞射(XRD)的半高寬數值,該半高寬數值小于250arcsec;
該凸出部的材料不同于該緩沖層;以及
該第一部分的高度占該凸出部的高度的1%至30%,即含1%和30%。
2.如權利要求1所述的發光元件,其中在該基板結構的一剖視圖中,該多個凸出部其中之一與該基底部的該表面間形成一夾角,該夾角小于65度。
3.如權利要求1所述的發光元件,其中該第二部分包含第一材料,該第一部分與該基底部包含相同的第二材料,該第一材料與該第二材料不同。
4.如權利要求3所述的發光元件,其中該第一材料的折射率比該第二材料的折射率小。
5.如權利要求1所述的發光元件,其中該多個凸出部其中之一具有一高度及一底部寬度,該高度與該底部寬度的比值大于0且不大于0.5,及/或該多個凸出部各具有一不大于1.5μm的高度。
6.如權利要求1所述的發光元件,其中在一剖視圖中,該多個凸出部具有一周期,其介于1μm到3μm之間。
7.如權利要求3所述的發光元件,其中該第二材料包含藍寶石,以及該表面包含該藍寶石的C平面。
8.一種發光元件的制法,包含以下步驟:
提供基底部,其中該基底部具有一表面;
實施圖案化步驟,該圖案化步驟包含形成前驅層在該基底部上,以及移除部分該前驅層以形成多個凸出部,其中該多個凸出部以二維陣列方式排列于該基底部的該表面上,且該多個凸出部各包含第一部分以及位于該第一部分上的第二部分,該第一部分一體成形于該基底部;
形成緩沖層于該基底部上且覆蓋該些凸出部,其中,該緩沖層包含氮化鋁材料;以及
形成Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體層于該緩沖層上;
其中,該發光元件具有一(102)面的X-射線繞射(XRD)的半高寬數值,該半高寬數值小于250arcsec;
該凸出部的材料不同于該緩沖層;以及
該第一部分的高度占該凸出部的高度的1%至30%,即含1%和30%。
9.如權利要求8所述的發光元件的制法,其中該圖案化步驟包含自該基底部的該表面移除部分該基底部以形成該多個凸出部。
10.如權利要求8所述的發光元件的制法,其中該緩沖層以物理氣相沉積法所形成。
11.如權利要求8所述的發光元件的制法,其中在該發光元件的一剖視圖中,該多個凸出部其中之一與該基底部的該表面間形成一夾角,該夾角小于65度。
12.如權利要求8所述的發光元件的制法,其中該多個凸出部各具有一不大于1.5μm的高度。
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