[發明專利]溝槽型MOSFET器件制造方法

在審

• 申請號: 201910347466.1
• 申請日: 2019-04-28
• 公開（公告）號: CN110047759A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 蔡金勇
• 申請（專利權）人: 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;劉靜

1.一種溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：

在基層中形成從上表面延伸至其內部的溝槽；

在所述溝槽的下部形成第一絕緣層和屏蔽導體；

在所述溝槽的上部形成柵極介質層和柵極導體，其中，所述柵極導體的頂部低于所述基層的上表面；以及

在形成體區之前，在所述柵極導體頂部鄰近所述溝槽側壁的區域形成阻擋區，以阻止后續離子注入時的雜質從所述溝槽的側壁注入所述基層中。

2.根據權利要求1所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，形成所述阻擋區的步驟包括：

在所述柵極導體頂部和所述柵極介質層上形成第三絕緣層；以及

刻蝕所述第三絕緣層以形成位于所述柵極導體頂部鄰近所述溝槽側壁區域的所述阻擋區。

3.根據權利要求2所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第三絕緣層為正硅酸乙酯氧化層。

4.根據權利要求1所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述阻擋區的厚度隨所述基層上表面至所述柵極導體頂部的距離變化而自適應變化。

5.根據權利要求4所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，位于所述溝槽內的所述阻擋區靠近所述溝槽側壁的厚度大于所述阻擋區遠離所述溝槽側壁的厚度。

6.根據權利要求5所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述阻擋區的厚度小于或者等于所述基層上表面至所述柵極導體頂部的距離。

7.根據權利要求1所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述溝槽中形成位于所述屏蔽導體和所述柵極導體之間的第二絕緣層。

8.根據權利要求7所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，形成所述柵極導體的步驟包括：

在所述第二絕緣層上方填充導體層，所述導體層包括位于所述溝槽內的第一部分和位于所述基層上表面的第二部分；以及

回刻蝕所述導體層以形成所述柵極導體。

9.根據權利要求8所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，至少回刻蝕所述導體層的所述第二部分以形成所述柵極導體。

10.根據權利要求1所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述屏蔽導體和所述柵極導體分別包括多晶硅。

11.根據權利要求1所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層位于所述溝槽的下部側壁和底部，且將所述屏蔽導體與所述基層隔離。

12.根據權利要求7所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，形成所述第二絕緣層的步驟包括：

在所述屏蔽導體和所述第一絕緣層的頂部形成絕緣層；以及

對所述絕緣層進行化學機械拋光及刻蝕處理以形成所述第二絕緣層。

13.根據權利要求12所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第二絕緣層采用高密度等離子體化學氣相淀積工藝形成。

14.根據權利要求2所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述刻蝕為干法刻蝕。

15.根據權利要求1所述的溝槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述柵極介質層位于所述溝槽的上部側壁，且將所述柵極導體與所述基層隔離。