[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910344627.1 | 申請日： | 2019-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN111863755A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成麗杰 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：包含有電連接層的基底，設(shè)置在所述基底上的導(dǎo)電墊，所述導(dǎo)電墊與所述電連接層電性連接，所述導(dǎo)電墊內(nèi)設(shè)置有溝槽，所述溝槽將所述導(dǎo)電墊分隔為用于測試的第一區(qū)域、以及用于電連接的第二區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底內(nèi)設(shè)置有露出所述電連接層的導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)電墊包括位于所述基底表面的導(dǎo)電層、以及位于所述導(dǎo)通孔內(nèi)的連接部，所述導(dǎo)電層經(jīng)由所述連接部與所述電連接層電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽與所述導(dǎo)通孔在所述基底上的正投影至少部分重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽貫穿所述導(dǎo)電層和所述連接部。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽與所述導(dǎo)通孔在所述基底上的正投影相互間隔設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述溝槽的深度小于所述導(dǎo)電層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直于所述第一區(qū)域指向所述第二區(qū)域的方向上，所述溝槽的長度小于所述導(dǎo)電層的長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底上還設(shè)置有介電層，所述導(dǎo)電層的數(shù)量為多個，所述介電層設(shè)置在多個所述導(dǎo)電層之間、以電性絕緣多個所述導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽在所述基底上的投影為矩形或橢圓形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿所述第一區(qū)域指向所述第二區(qū)域的方向上，所述溝槽的寬度范圍為1微米～20微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直于所述第一區(qū)域指向所述第二區(qū)域的方向上，所述溝槽的長度范圍為50微米～80微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述溝槽的深度范圍為100納米～6微米。
13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
提供包含有至少一層電連接層的基底；
在所述基底上形成與所述電連接層電性連接的導(dǎo)電墊，其中，所述導(dǎo)電墊內(nèi)設(shè)置有溝槽，所述溝槽將所述導(dǎo)電墊分隔為用于測試的第一區(qū)域、以及用于電連接的第二區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述基底上形成與所述電連接層電性連接的導(dǎo)電墊，具體包括：
在所述基底上形成導(dǎo)通孔；
在所述基底上以及所述導(dǎo)通孔中形成所述導(dǎo)電墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述基底上以及所述導(dǎo)通孔中形成所述導(dǎo)電墊，具體包括：
在形成所述導(dǎo)電墊的工藝過程中，形成所述溝槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述基底上以及所述導(dǎo)通孔中形成所述導(dǎo)電墊之后，還包括：形成所述溝槽。
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