[發明專利]一種硅片缺陷的檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 201910344467.0
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110018279A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 張婉婉;文英熙;柳清超;郭愷辰
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00;G01N21/88;G01N21/95
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發明實施例提供了一種硅片缺陷的檢測方法及裝置，硅片缺陷的檢測方法包括：將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理，其中所述待檢測子零件為部分的待檢測零件；對多個待檢測子零件進行熱處理，所述多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件；根據每個待檢測子零件的處理結果，確定每個待檢測子零件的缺陷。通過該硅片缺陷的檢測方法可以同時對多片待檢測子零件進行熱處理，大大節省了前處理時間，提升缺陷分析的效率，可以簡單快速地分析硅片中的缺陷分布，以便更好地控制和避免產品不良。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種硅片缺陷的檢測方法及裝置。

背景技術

目前，硅片的生產方法多采用柴式直拉法，該方法的大致過程為：將高純多晶硅放入石英坩堝中進行加熱熔融以得到硅熔體，將籽晶浸入硅熔體中，經過引晶、收頸、放肩等徑生長以及收尾等工序，就可以得到單晶硅錠。再對單晶硅錠進行成型、拋光和清洗等工序得到硅片。

其中，在生長硅錠的過程中會產生各種原生缺陷，例如：晶體原生缺陷(COP)、流動圖案缺陷(FPD)或激光散射層析缺陷(LSTD)等。而COP對由硅片制成的半導體器件會有很大的影響，比如柵氧化完整性(GOI)。現有的硅片缺陷的檢測方法存在以下缺點：

(1)整個分析過程耗時較長，其中熱處理時間尤為漫長(2至10小時)；

(2)由于硅片的尺寸越大，對熱處理設備、腐蝕設備以及檢測設備的要求就越高，并且在硅片的熱處理過程中越容易產生翹曲現象，硅片的翹曲現象會對硅片生長缺陷的判斷造成干擾，使得大尺寸硅片的缺陷評價工藝較復雜；

(3)此種方法是破壞性的方法，測試之后整個硅片就報廢處理。

發明內容

本發明實施例提供了一種硅片缺陷的檢測方法及裝置，以解決現有的硅片缺陷的檢測方法的分析過程耗時較長的問題。

為了解決上述技術問題，依據本發明實施例的一個方面，提供了一種硅片缺陷的檢測方法，包括：

將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理，其中所述待檢測子零件為部分的待檢測零件；

對多個待檢測子零件進行熱處理，所述多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件；

根據每個待檢測子零件的處理結果，確定每個待檢測子零件的缺陷。

可選地，所述對多個待檢測子零件進行熱處理，所述多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件，包括：

提供一設置有多個卡槽的夾具，所述卡槽的形狀與所述預設形狀一致；

將多個經過金屬污染處理后的待檢測子零件放置在夾具的卡槽中，并且放置在所述夾具上的多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件；

對放置在所述夾具上的多個待檢測子零件進行熱處理。

可選地，在所述將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理的步驟之前，所述方法還包括：

將待檢測零件沿直徑方向切割制樣成多個具有預設形狀的待檢測子零件。

可選地，在所述將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理步驟之后，且在所述對多個待檢測子零件進行熱處理的步驟之前，所述方法還包括：

對所述待檢測子零件進行干燥處理。

可選地，所述對所述待檢測子零件進行干燥處理，包括：

將所述待檢測子零件放置在空氣中干燥5～30min。

可選地，在所述對多個待檢測子零件進行熱處理的步驟之后，且在所述根據每個待檢測子零件的處理結果，確定每個待檢測子零件的缺陷的步驟之前，所述方法還包括：