[發明專利]一種硅片缺陷的檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 201910344467.0
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110018279A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 張婉婉;文英熙;柳清超;郭愷辰
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00;G01N21/88;G01N21/95
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

1.一種硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理，其中所述待檢測子零件為部分的待檢測零件；

對多個待檢測子零件進行熱處理，所述多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件；

根據每個待檢測子零件的處理結果，確定每個待檢測子零件的缺陷。

2.根據權利要求1所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述對多個待檢測子零件進行熱處理，所述多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件，包括：

提供一設置有多個卡槽的夾具，所述卡槽的形狀與所述預設形狀一致；

將多個經過金屬污染處理后的待檢測子零件放置在夾具的卡槽中，并且放置在所述夾具上的多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件；

對放置在所述夾具上的多個待檢測子零件進行熱處理。

3.根據權利要求1所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，在所述將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理的步驟之前，所述方法還包括：

將待檢測零件沿直徑方向切割制樣成多個具有預設形狀的待檢測子零件。

4.根據權利要求1所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，在所述將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理步驟之后，且在所述對多個待檢測子零件進行熱處理的步驟之前，所述方法還包括：

對所述待檢測子零件進行干燥處理。

5.根據權利要求4所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述對所述待檢測子零件進行干燥處理，包括：

將所述待檢測子零件放置在空氣中干燥5～30min。

6.根據權利要求1所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，在所述對多個待檢測子零件進行熱處理的步驟之后，且在所述根據每個待檢測子零件的處理結果，確定每個待檢測子零件的缺陷的步驟之前，所述方法還包括：

對所述待檢測子零件進行腐蝕處理。

7.根據權利要求6所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述對所述待檢測子零件進行腐蝕處理，包括：

將待檢測子零件浸入腐蝕液中，腐蝕時間為50～90min。

8.根據權利要求1所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理，包括：

將所述待檢測子零件浸入硝酸銅水溶液或者硝酸鎳水溶液中，對其表面進行金屬污染處理。

9.根據權利要求8所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述將所述待檢測子零件浸入硝酸銅水溶液或者硝酸鎳水溶液中，對其表面進行金屬污染處理，包括：

將所述待檢測子零件浸入1～10mol/L的硝酸銅水溶液或者硝酸鎳水溶液中，溶液溫度為20～40℃，浸漬時間為5～20min。

10.根據權利要求1所述的硅片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述對多個待檢測子零件進行熱處理，包括:

將多個待檢測子零件進行兩次熱處理，每次加熱溫度為800～1200℃，兩次熱處理總的加熱時間為120～600min。

11.一種硅片缺陷的檢測裝置，其特征在于，包括：

金屬污染機構，用于將具有預設形狀的待檢測子零件進行金屬污染處理，其中所述待檢測子零件為部分的待檢測零件；

熱處理機構，用于對多個待檢測子零件進行熱處理，所述多個待檢測子零件屬于不同的待檢測零件；

分析機構，用于根據每個待檢測子零件的處理結果，確定每個待檢測子零件的缺陷。