[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910342767.5
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110459516A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發(fā)明（設計）人: 川島崇功;今井誠
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 11219 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 王兆陽;蘇卉<國際申請>=<國際公布>=

1.一種半導體裝置，其中，具備：

半導體模塊，具有半導體元件及連接于所述半導體元件的電力端子；及

匯流條，經(jīng)由連接部件而連接于所述半導體模塊的所述電力端子，

所述連接部件的熔斷電流比所述電力端子及所述匯流條的各熔斷電流低。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述連接部件與所述電力端子之間的接合面平行于所述連接部件與所述匯流條之間的接合面。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述連接部件與所述電力端子之間的所述接合面和所述連接部件與所述匯流條之間的所述接合面位于同一平面內(nèi)。

4.根據(jù)權利要求2或3所述的半導體裝置，其中，

所述半導體模塊還具有對所述半導體元件進行封裝的封裝體，

所述電力端子具有從所述封裝體向外部延伸的第一部分和沿著與所述第一部分的延伸方向垂直的方向延伸的第二部分，

所述連接部件接合于所述電力端子的所述第二部分。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其中，

構成所述連接部件的材料具有比構成所述電力端子及所述匯流條的各材料的熔點低的熔點。

6.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述連接部件具有內(nèi)側(cè)部分和覆蓋所述內(nèi)側(cè)部分的外側(cè)部分，

構成所述內(nèi)側(cè)部分的材料具有比構成所述外側(cè)部分的材料的電阻率低的電阻率。

7.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述連接部件在長度方向的中間位置具有彎曲部。

8.根據(jù)權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述連接部件具有使與長度方向垂直的截面局部地縮小而成的脆弱部。

9.一種半導體裝置，其中，具備：

第一半導體模塊，具有第一開關元件、第一電力端子及第二電力端子，所述第一電力端子經(jīng)由所述第一開關元件而連接于所述第二電力端子；

第二半導體模塊，具有第二開關元件、第三電力端子及第四電力端子，所述第三電力端子經(jīng)由所述第二開關元件而連接于所述第四電力端子；

第一匯流條，經(jīng)由第一連接部件而連接所述第一半導體模塊的所述第一電力端子；

第二匯流條，經(jīng)由第二連接部件而連接所述第一半導體模塊的所述第二電力端子，并且，經(jīng)由第三連接部件而連接所述第二半導體模塊的所述第三電力端子；及

第三匯流條，經(jīng)由第四連接部件而連接所述第二半導體模塊的所述第四電力端子；

所述第一連接部件的熔斷電流比所述第一電力端子及所述第一匯流條的各熔斷電流低，

所述第二連接部件的熔斷電流比所述第二電力端子及所述第二匯流條的各熔斷電流低，

所述第三連接部件的熔斷電流比所述第三電力端子及所述第二匯流條的各熔斷電流低，

所述第四連接部件的熔斷電流比所述第四電力端子及所述第三匯流條的各熔斷電流低。