[發明專利]晶圓減薄系統和相關方法

有效

• 申請號: 201910341346.0
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110405546B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: M·J·瑟登
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: B24B1/04
• 分類號: B24B1/04;B24B37/10;H01L21/04
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

本發明提供了用于減薄半導體襯底的系統，所述系統的實施方式可包括：被配置成接收用于減薄的半導體襯底的襯底卡盤、心軸、聯接到所述心軸的砂輪、和被配置成在減薄期間與所述半導體襯底接觸的水介質。超聲能量源可直接聯接到所述襯底卡盤、所述心軸、所述砂輪、所述水介質、或它們的任意組合。

技術領域

本文檔的各方面整體涉及用于減薄半導體襯底(諸如晶圓)的系統和方法。

背景技術

半導體材料在用于形成半導體器件的工藝中用作襯底。通常，半導體襯底采用晶圓的形式，該晶圓通常通過鋸切與晶錠或半導體材料的其他塊體分離。半導體襯底的內部結構能夠是單晶、多晶或無定形的。

發明內容

用于減薄半導體襯底的系統的實施方式可包括：被配置成接收用于減薄的半導體襯底的襯底卡盤、心軸(spindle)、聯接到心軸的砂輪、和被配置成在減薄期間與半導體襯底接觸的水介質。超聲能量源可直接聯接到襯底卡盤、心軸、砂輪、水介質、或它們的任意組合。

用于減薄半導體襯底的系統的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任一者：

半導體襯底可包含碳化硅。

砂輪可包含金剛石。

超聲能量源可發射介于20kHz至3GHz之間的聲能。

該系統還可包括至少第二襯底卡盤、至少第二心軸、至少第二超聲能量源或它們的任意組合。

用于減薄半導體襯底的系統的實施方式可包括被配置成接收用于減薄的半導體襯底的襯底卡盤、其上聯接有砂輪的心軸、和被配置成接觸襯底卡盤的至少一部分和砂輪的至少一部分的水介質。在半導體襯底的減薄期間，可將超聲能量源施加到襯底卡盤、心軸、砂輪、水介質或它們的任意組合。

用于減薄半導體襯底的系統的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任一者：

半導體襯底可包含碳化硅。

砂輪可包含金剛石。

超聲能量源可發射介于20kHz至3GHz之間的聲能。

該系統可包括至少第二襯底卡盤、至少第二心軸、至少第二超聲能量源或它們的任意組合。

用于減薄半導體襯底的系統的實施方式可采用半導體襯底減薄的方法的實施方式。該方法可包括：將半導體襯底與襯底卡盤聯接，將砂輪與心軸聯接，以及使水介質與半導體襯底接觸以及與襯底卡盤的至少一部分接觸以及與砂輪的至少一部分接觸。該方法可包括：在減薄半導體襯底時在將超聲能量源施加到襯底卡盤、心軸、砂輪、水介質或它們的任意組合時，旋轉砂輪、襯底卡盤、或砂輪和襯底卡盤兩者。

半導體襯底減薄的方法的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任一者：

該方法可包括通過超聲能量源提高半導體襯底的減薄速率。

半導體襯底可包含碳化硅。

砂輪可包含金剛石。

超聲能量源可發射介于20kHz至30GHz之間的聲能。

該方法還可包括通過超聲能量源降低砂輪的磨損速率。

對于本領域的普通技術人員而言，通過說明書和附圖并且通過權利要求書，上述以及其他方面、特征和優點將會顯而易見。

附圖說明

將在下文中結合附圖來描述各實施方式，其中類似標號表示類似元件，并且：

圖1是半導體襯底減薄系統的第一實施方式的側面剖視圖；

圖2是半導體襯底減薄系統的第二實施方式的側面剖視圖；