[發(fā)明專利]晶圓減薄系統(tǒng)和相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910341346.0
• 申請日: 2019-04-26
• 公開（公告）號: CN110405546B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·J·瑟登
• 申請（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號: B24B1/04
• 分類號: B24B1/04;B24B37/10;H01L21/04
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種用于減薄半導(dǎo)體襯底的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

襯底卡盤，所述襯底卡盤被配置成接收用于減薄的半導(dǎo)體襯底；

心軸；

砂輪，所述砂輪聯(lián)接到所述心軸；

水介質(zhì)，所述水介質(zhì)被配置成在減薄期間覆蓋所述半導(dǎo)體襯底；和

超聲能量源，所述超聲能量源通過延伸到所述水介質(zhì)中來直接聯(lián)接到所述水介質(zhì)，所述水介質(zhì)將超聲能傳送到所述半導(dǎo)體襯底、所述襯底卡盤、以及砂輪的接觸水介質(zhì)的那些部分，

其中所述超聲能量源被配置成在減薄期間提高所述半導(dǎo)體襯底的減薄速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述半導(dǎo)體襯底包含碳化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)：

至少第二襯底卡盤；

至少第二心軸；

至少第二超聲能量源；以及

它們的任意組合。

4.一種半導(dǎo)體襯底減薄的方法，所述方法包括：

將半導(dǎo)體襯底與襯底卡盤聯(lián)接；

將砂輪與心軸聯(lián)接；

以水介質(zhì)覆蓋所述半導(dǎo)體襯底；

在減薄所述半導(dǎo)體襯底時將超聲能量源通過延伸到所述水介質(zhì)中來直接聯(lián)接到所述水介質(zhì)，所述水介質(zhì)將超聲能傳送到所述半導(dǎo)體襯底、所述襯底卡盤、以及砂輪的接觸水介質(zhì)的那些部分來提高所述半導(dǎo)體襯底的減薄速率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括使用：

至少第二襯底卡盤；

至少第二心軸；

至少第二超聲能量源；或

它們的任意組合中的一項(xiàng)來進(jìn)行減薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述半導(dǎo)體襯底包含碳化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括通過所述超聲能量源降低所述砂輪的磨損速率。