[發明專利]工件矯正方法和工件矯正裝置在審
| 申請號: | 201910341006.8 | 申請日: | 2019-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN110400766A | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發明(設計)人: | 石井直樹 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社;日東精機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 工件矯正 矯正 物理接觸 吹送 損傷 氣體噴射噴嘴 按壓 按壓板 電路面 平坦化 吸附孔 載置面 薄型 朝上 基板 翹曲 吸附 變形 電路 平坦 暴露 | ||
1.一種工件矯正方法,其特征在于,具有:
保持過程,在該過程中,在平坦的保持臺上保持工件;
氣體供給過程,在該過程中,利用從設于所述保持臺的上方的氣體供給機構向所述工件的上表面供給的氣體的壓力按壓所述工件;以及
吸附過程,在該過程中,經由設于所述保持臺的吸附孔將所述工件的下表面吸附于所述保持臺。
2.根據權利要求1所述的工件矯正方法,其特征在于,
在所述氣體供給過程中,
將設有的多個所述氣體供給機構分割為多個組,針對每個所述組獨立控制從所述氣體供給機構供給的氣體的壓力。
3.根據權利要求2所述的工件矯正方法,其特征在于,
在所述氣體供給過程中,
與距所述工件的中心的距離相應地,將設有的多個所述氣體供給機構分割為多個組,
針對每個所述組獨立控制,以使得從所述氣體供給機構供給的氣體的壓力隨著從所述工件的中心向外緣部去而階段性地變化。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的工件矯正方法,其特征在于,
在所述吸附過程中,
將設有的多個所述吸附孔分割為多個組,針對每個所述組獨立控制經由所述吸附孔吸附所述工件的力。
5.根據權利要求4所述的工件矯正方法,其特征在于,
在所述吸附過程中,
與距所述工件的中心的距離相應地,將設有的多個所述吸附孔分割為多個組,
針對每個所述組獨立控制,以使得經由所述吸附孔吸附所述工件的力隨著從所述工件的中心向外緣部去而階段性地變化。
6.一種工件矯正裝置,其特征在于,具有:
平坦的保持臺,其保持工件;
氣體供給機構,其設于所述保持臺的上方,向所述工件的上表面供給氣體,并利用所述氣體的壓力按壓所述工件;以及
吸附機構,其經由設于所述保持臺的吸附孔,將所述工件的下表面吸附于所述保持臺。
7.根據權利要求6所述的工件矯正裝置,其特征在于,
將所設有的多個所述氣體供給機構分割為多個組,
所述工件矯正裝置具有供給控制機構,該供給控制機構針對每個所述組獨立控制從所述氣體供給機構供給的氣體的壓力。
8.根據權利要求7所述的工件矯正裝置,其特征在于,
與距所述工件的中心的距離相應地,將所設有的多個所述氣體供給機構分割為多個組,
所述供給控制機構針對每個所述組獨立控制,以使得從所述氣體供給機構供給的氣體的壓力隨著從所述工件的中心向外緣部去而階段性地變化。
9.根據權利要求6~8中任一項所述的工件矯正裝置,其特征在于,
所設有的多個所述吸附孔被分割為多個組,
具有吸附控制機構,該吸附控制機構針對每個所述組,獨立控制經由所述吸附孔吸附所述工件的力。
10.根據權利要求9所述的工件矯正裝置,其特征在于,
與距所述工件的中心的距離相應地,將所設有的多個所述吸附孔分割為多個組,
所述吸附控制機構針對每個所述組獨立控制,以使得經由所述吸附孔吸附所述工件的力隨著從所述工件的中心向外緣部去而階段性地變化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





