[發明專利]薄膜晶體管和陣列基板

在審

• 申請號: 201910338183.0
• 申請日: 2019-04-25
• 公開（公告）號: CN110112212A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 陳黎暄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

一種薄膜晶體管及應用該薄膜晶體管的陣列基板，在柵極絕緣層中增加一層折射率為1.45～1.75的第一柵極絕緣層，從而可以在保護柵極的同時降低對于單板透過率的影響。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板。

背景技術

隨著高分辨率顯示技術的發展，近年來，提出了以氧化銦鎵鋅(InGaZnOx，IGZO)代替硅半導體膜形成薄膜晶體管的溝道層的方案，被稱為IGZO-TFT技術。由于IGZO具有比非晶硅高的遷移率，且能夠通過更簡便的工藝形成，因此，得到了越來越多的應用。

請參見圖1，圖1是一種現有的IGZO-TFT技術的陣列基板的結構示意圖。如圖1所示，所述陣列基板100包括：一襯底基板110，設置于所述襯底基板110上的柵極120，覆蓋所述柵極120的柵極絕緣層130，設置于所述柵極絕緣層130上的IGZO膜層140，設置于所述IGZO膜層140上的源極電極151和漏極電極152，覆蓋所述源極電極151及所述漏極電極152的第一鈍化層160，設置于所述第一鈍化層160上的色阻層170，設置于所述色阻層170上的第二鈍化層180，以及，設置在所述第二鈍化層180上的像素電極190。

在圖1所示的陣列基板100中，由于需要排除氫離子-H的影響，所述柵極絕緣層130一般由氧化硅制成。然而，氧化硅的沉積會導致所述柵極120的氧化，影響器件性能。因此，為了防止所述柵極120在化學氣相沉積(CVD)制程中被氧化，在所述柵極絕緣層130與所述柵極120之間設置一氮化硅層131。

然而，由于所述氮化硅層131的設置，使得所述陣列基板100的單板透過率降低。

因此，有必要提供一種新的陣列基板及應用該陣列基板的顯示面板、顯示面板的制造方法、顯示器及電子裝置，以克服上述缺陷。

發明內容

在本發明的薄膜晶體管及其陣列基板中，在柵極絕緣層中增加一層折射率為1.45～1.75的第一柵極絕緣層，從而可以在保護柵極的同時降低對于單板透過率的影響。

為了達到上述目的，根據本發明的一方面，提供一種薄膜晶體管，包括至少一層使一柵極與一半導體有源層絕緣的柵極絕緣層；所述柵極絕緣層包括一第一柵極絕緣層及設置于所述第一柵極絕緣層上的一第二柵極絕緣層；其中，所述第一柵極絕緣層的折射率為1.45～1.75，并且，所述第一柵極絕緣層的厚度為80～200nm。

在本發明一實施例中，所述薄膜晶體管還包括設置于所述半導體有源層上的源極電極和漏極電極。

在本發明一實施例中，所述折射率在1.45～1.75范圍內的有機聚合物為含有不飽和雙鍵的多羥基醇丙烯酸酯的單體，聚酰亞胺(PI)，聚丙烯酸(PAA)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚鈦硅氧烷、環氧丙烯酸酯中的一種。

在本發明中，所述第一柵極絕緣層的材料為折射率在1.45～1.75之間、且在本領域中公知的適合于作為薄膜晶體管或陣列基板中的絕緣層的任何已知有機聚合物，例如但不限于1,2-二羥基丙基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯或季戊四醇四丙烯酸酯、聚酰亞胺(PI)，聚丙烯酸(PAA)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚鈦硅氧烷、環氧丙烯酸酯。

在本發明一實施例中，所述柵極絕緣層還包括一第三柵極絕緣層；所述第三柵極絕緣層設置于所述第一柵極絕緣層與所述第二柵極絕緣層之間；或者，所述第三柵極絕緣層設置于所述第一柵極絕緣層背離所述第二柵極絕緣層的表面上。

在本發明一實施例中，所述第二柵極絕緣層的材料為氧化硅或氧氮化硅制成。

在本發明一實施例中，所述半導體有源層的材料為氧化銦鎵鋅。

在本發明一實施例中，所述柵極絕緣層的厚度小于等于700nm。