[發明專利]薄膜晶體管和陣列基板

在審

• 申請號: 201910338183.0
• 申請日: 2019-04-25
• 公開（公告）號: CN110112212A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 陳黎暄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管，包括至少一層使一柵極與一半導體有源層絕緣的柵極絕緣層，其特征在于，所述柵極絕緣層包括：一第一柵極絕緣層，以及設置于所述第一柵極絕緣層上的一第二柵極絕緣層；其中，

所述第一柵極絕緣層由折射率在1.45～1.75范圍內的有機聚合物制成，

所述柵極絕緣層的厚度小于等于700nm，并且，所述第一柵極絕緣層的厚度為80～200nm。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設置于所述半導體有源層上的源極電極和漏極電極。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層還包括一第三柵極絕緣層，其中，

所述第三柵極絕緣層設置于所述第一柵極絕緣層與所述第二柵極絕緣層之間；或者，

所述第三柵極絕緣層設置于所述第一柵極絕緣層背離所述第二柵極絕緣層的表面上。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三絕緣層的材料為氮氧化硅。

5.如權利要求1至4中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述折射率在1.45～1.75范圍內的有機聚合物為含有不飽和雙鍵的多羥基醇丙烯酸酯的單體、聚酰亞胺、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚鈦硅氧烷、環氧丙烯酸酯中的一種。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二柵極絕緣層的材料為氧化硅。

7.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體有源層的材料為氧化銦鎵鋅。

8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括一襯底基板和復數個權利要求1所述的薄膜晶體管。

9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括覆蓋所述復數個薄膜晶體管的第一鈍化層以及設置于所述第一鈍化層上的色阻層。

10.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置于所述色阻層上的第二鈍化層以及設置于所述第二鈍化層上的像素電極，其中，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接。