[發明專利]基片處理裝置、基片處理系統和基片處理方法

在審

• 申請號: 201910337598.6
• 申請日: 2019-04-25
• 公開（公告）號: CN110429041A
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 池田義謙;梅﨑翔太;西健治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供一種能夠削減處理基片時的氣氛調節氣體的使用量的技術。本發明的一個方式的基片處理裝置包括基片處理部、分隔壁部和液供給部。基片處理部對基片實施液處理。分隔壁部將從能夠送入基片的送入送出口至基片處理部為止的第一空間與第一空間以外的第二空間分隔。液供給部設置在第二空間，將處理液供給到基片。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置、基片處理系統和基片處理方法。

背景技術

一直以來，在處理半導體晶片(以下稱為晶片。)等基片的基片處理裝置中，對殼體內供給使用FFU(Fan Filter Unit，風機過濾機組)進行了濾清的大氣氣氛(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2001-319845號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種能夠削減處理基片時的氣氛調節氣體的使用量的技術。

用于解決技術問題的技術手段

本發明的一個方式的基片處理裝置包括基片處理部、分隔壁部和液供給部。基片處理部對基片實施液處理。分隔壁部將從能夠送入上述基片的送入送出口至上述基片處理部為止的第一空間和上述第一空間以外的第二空間分隔。液供給部設置在上述第二空間，并將處理液供給到上述基片。

發明效果

依照本發明，能夠削減處理基片時的氣氛調節氣體的使用量。

附圖說明

圖1是表示實施方式的基片處理系統的概略結構的示意圖。

圖2是表示實施方式的處理單元的結構的俯視圖。

圖3是表示圖2中的A-A線截面圖。

圖4A是表示實施方式的液處理的一工序的示意圖(1)。

圖4B是表示實施方式的液處理的一工序的示意圖(2)。

圖4C是表示實施方式的液處理的一工序的示意圖(3)。

圖4D是表示實施方式的液處理的一工序的示意圖(4)。

圖5A是用于說明實施方式的流入抑制部的一例的示意圖。

圖5B是用于說明實施方式的流入抑制部的另一例的示意圖。

圖5C是用于說明實施方式的流入抑制部的又一例的示意圖。

圖6是表示實施方式的變形例1的處理單元的結構的俯視圖。

圖7是表示實施方式的變形例2的處理單元的結構的俯視圖。

圖8A是表示由實施方式的變形例3的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(1)。

圖8B是表示由實施方式的變形例3的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(2)。

圖8C是表示由實施方式的變形例3的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(3)。

圖8D是表示由實施方式的變形例3的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(2)。

圖9A是表示由實施方式的變形例4的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(1)。

圖9B是表示由實施方式的變形例4的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(2)。

圖9C是表示由實施方式的變形例4的處理單元進行的液處理的一工序的示意圖(3)。