[發(fā)明專利]基片處理裝置、基片處理系統(tǒng)和基片處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910337598.6
• 申請日: 2019-04-25
• 公開（公告）號: CN110429041A
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 池田義謙;梅﨑翔太;西健治
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

對基片實(shí)施液處理的基片處理部；

分隔壁部，其將從能夠送入所述基片的送入送出口至所述基片處理部為止的第一空間與所述第一空間以外的第二空間分隔；和

液供給部，其設(shè)置在所述第二空間，能夠?qū)⑻幚硪汗┙o到所述基片。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括將調(diào)節(jié)氣氛的氣氛調(diào)節(jié)氣體供給到所述第一空間的氣體供給部。

3.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述分隔壁部包括：覆蓋所述基片的上方的上板部；和包圍所述基片的側(cè)方的側(cè)壁部。

4.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括用于收納所述基片處理部、所述分隔壁部和所述液供給部的殼體，

所述殼體內(nèi)的所述第二空間為大氣氣氛。

5.一種基片處理系統(tǒng)，其特征在于，包括：

配置有多個權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的基片處理裝置；和

共用輸送路徑，其與多個所述基片處理裝置相鄰，設(shè)置有對各所述基片處理裝置輸送所述基片的輸送裝置。

6.如權(quán)利要求5所述的基片處理系統(tǒng)，其特征在于：

還包括將調(diào)節(jié)氣氛的氣氛調(diào)節(jié)氣體供給到所述共用輸送路徑的第二氣體供給部。

7.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

對從能夠送入基片的送入送出口至對所述基片實(shí)施液處理的基片處理部為止的第一空間供給調(diào)節(jié)氣氛的氣氛調(diào)節(jié)氣體的工序；

將所述基片送入所述第一空間的工序；

將所述基片載置在所述基片處理部的工序；和

使用液供給部對所述基片進(jìn)行液處理的工序，其中所述液供給部配置在由分隔壁部與所述第一空間分隔開的第二空間配置。

8.如權(quán)利要求7所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

將進(jìn)行了液處理的所述基片從所述基片處理部送出的工序；和

在所述送出工序后，停止對所述第一空間供給所述氣氛調(diào)節(jié)氣體的工序。

9.如權(quán)利要求7或8所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括使所述分隔壁部中覆蓋所述基片的上方的上板部靠近載置于所述基片處理部的所述基片的工序。

10.如權(quán)利要求9所述的基片處理方法，其特征在于：

所述進(jìn)行液處理的工序包括將處理液充滿在所述上板部與所述基片之間的工序。