[發明專利]氣體供給管的清潔方法和處理系統

在審

• 申請號: 201910335044.2
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN110400735A
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 松田梨沙子
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/513;C23C16/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明提供氣體供給管的清潔方法和處理系統。氣體供給管的清潔方法包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，向氣體供給管內供給含有第一化合物的第一氣體和含有第二化合物的第二氣體，將氣體供給管的溫度控制為第一溫度，由此通過第一化合物與第二化合物的聚合在氣體供給管的內壁形成化合物的覆膜。第一溫度為使第一化合物與第二化合物聚合的溫度。在去除工序中，在利用經由形成有覆膜的氣體供給管供給至處理腔室內的處理氣體在腔室內對被處理體進行處理之后，將氣體供給管的溫度控制為使覆膜解聚的第二溫度，來將覆膜去除。第一化合物為異氰酸酯，第二化合物為胺或具有羥基的化合物。

技術領域

本公開的各種方面和實施方式涉及氣體供給管的清潔方法和處理系統。

背景技術

在半導體裝置等的制造中，使用處理氣體對半導體晶圓(以下記載為晶圓)進行蝕刻、成膜等處理。處理氣體的流量對處理后的晶圓的特性有很大的影響，因此對控制處理氣體的流量的流量控制器要求高精度。因此，定期地對流量控制器進行校正。例如使用用于向處理腔室供給處理氣體的氣體供給管的容積來校正流量控制器。

另外，在蝕刻、成膜等處理中有時使用含鹵氣體等腐蝕性高的氣體。在該情況下，有時氣體供給管的內壁會被處理氣體損傷。已知一種利用針對含鹵處理氣體具有耐性的材料來對氣體供給管的內壁進行涂覆以防發生上述情況的技術(例如參照下述的專利文獻1)。

專利文獻1：日本專利第5855644號公報

發明內容

發明要解決的問題

另外，根據處理氣體的種類，有時處理氣體會與存在于氣體供給管內的水分、殘留氣體發生反應，使得在氣體供給管內生成固體。例如，當在氣體供給管內存在NH₃氣體和Cl₂氣體時，有時在氣體供給管內生成NH₄Cl。在與氣體供給管連接的流量控制器、閥等的內部中也生成這樣的固體。當在氣體供給管等生成固體時，有時流量控制器對處理氣體的流量的控制量產生誤差。

例如，在利用以氣體供給管的容積為基準的積層法對流量控制器進行校正的情況下，有時由于氣體供給管的容積發生變化使得流量的控制量產生偏差。另外，在基于節流孔的前后的壓力差來控制流量的流量控制器中，有時由于生成的固體使得節流孔的開口變窄，流量的控制量產生偏差。另外，在熱式流量控制器中，有時由于附著在配管內的固體使得配管的熱分布發生變化，因此流量的控制量產生偏差。

另外，在氣體供給管內生成的固體沉積，最終成為微粒并在氣體供給管內流動，附著于閥等設備，有時招致設備的誤動作。另外，在氣體供給管內流動的微粒有時侵入處理腔室內，附著于晶圓而成為導致不良的原因。

用于解決問題的方案

本公開的一個方面是一種氣體供給管的清潔方法，包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，在向氣體供給管內供給有含有第一化合物的第一氣體和含有第二化合物的第二氣體的狀態下，將氣體供給管的溫度控制為第一溫度，由此通過第一化合物與第二化合物的聚合在氣體供給管的內壁形成化合物的覆膜。第一溫度為使第一化合物與第二化合物聚合的溫度。在去除工序中，在利用經由形成有覆膜的氣體供給管供給至處理腔室內的處理氣體對腔室內的被處理體進行規定的處理之后，將氣體供給管的溫度控制為使覆膜解聚的第二溫度，由此將覆膜去除。另外，第一化合物為異氰酸酯，第二化合物為胺或具有羥基的化合物。

發明的效果

根據本公開的各種方面和實施方式，能夠抑制與氣體供給管連接的流量控制器的精度下降，并且能夠防止被處理體被微粒污染。

附圖說明

圖1是表示本公開的一個實施方式中的處理系統的一例的系統結構圖。