[發明專利]氣體供給管的清潔方法和處理系統在審
| 申請號： | 201910335044.2 | 申請日： | 2019-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN110400735A | 公開（公告）日： | 2019-11-01 |
| 發明（設計）人： | 松田梨沙子 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氣體供給管 覆膜 第二化合物 第一化合物 去除 處理系統 形成工序 清潔 聚合 室內 被處理體 處理氣體 異氰酸酯 處理腔 解聚 內壁 羥基 | ||
1.一種氣體供給管的清潔方法，其特征在于，包括以下工序：
覆膜形成工序，在向氣體供給管內供給含有第一化合物的第一氣體和含有第二化合物的第二氣體的狀態下，將所述氣體供給管的溫度控制為使所述第一化合物與所述第二化合物聚合的第一溫度，由此通過所述聚合在所述氣體供給管的內壁形成化合物的覆膜；以及
去除工序，在利用經由形成有所述覆膜的所述氣體供給管供給至處理腔室內的處理氣體對所述腔室內的被處理體進行規定的處理之后，將所述氣體供給管的溫度控制為使所述覆膜解聚的第二溫度，由此將所述覆膜去除，
其中，所述第一化合物為異氰酸酯，
所述第二化合物為胺或具有羥基的化合物。
2.根據權利要求1所述的氣體供給管的清潔方法，其特征在于，
所述覆膜形成工序包括以下工序：
將所述氣體供給管的溫度控制為所述第二溫度；
在所述氣體供給管的兩端的閥打開的狀態下，向所述氣體供給管內供給所述第一氣體和所述第二氣體；以及
在關閉所述氣體供給管的兩端的閥的狀態下，將所述氣體供給管控制為所述第一溫度，由此在所述氣體供給管的內壁形成所述化合物的覆膜。
3.根據權利要求2所述的氣體供給管的清潔方法，其特征在于，
在利用經由形成有所述覆膜的所述氣體供給管供給至所述處理腔室內的處理氣體對所述處理腔室內的被處理體進行規定的處理的處理工序之前，將所述覆膜形成工序執行多次。
4.根據權利要求3所述的氣體供給管的清潔方法，其特征在于，還包括以下工序：
測定工序，在所述處理工序之后測定所述氣體供給管的容積；以及
判定工序，基于所述氣體供給管的容積的變化來判定是否執行所述去除工序，
其中，在所述判定工序中判定為執行所述去除工序的情況下，執行所述去除工序。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的氣體供給管的清潔方法，其特征在于，
在所述去除工序之后還進行所述覆膜形成工序。
6.一種處理系統，其特征在于，具備：
處理腔室；
氣體供給管，其與所述處理腔室連接；
第一氣體源，其向所述氣體供給管供給含有第一化合物的第一氣體；
第二氣體源，其向所述氣體供給管供給含有第二化合物的第二氣體；
溫度控制裝置，其控制所述氣體供給管的溫度；以及
控制裝置，
其中，所述控制裝置執行以下工序：
覆膜形成工序，在向所述氣體供給管內供給所述第一氣體和所述第二氣體的狀態下，將所述氣體供給管的溫度控制為使所述第一化合物與所述第二化合物聚合的第一溫度，由此通過所述聚合在所述氣體供給管的內壁形成化合物的覆膜；以及
去除工序，在利用經由形成有所述覆膜的所述氣體供給管供給至所述處理腔室內的處理氣體對所述處理腔室內的被處理體進行規定的處理之后，將所述氣體供給管的溫度控制為使所述覆膜解聚的第二溫度，由此將所述覆膜去除，
其中，所述第一化合物為異氰酸酯，
所述第二化合物為胺或具有羥基的化合物。
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