[發明專利]鐳雕蝕刻工藝

在審

• 申請號: 201910334946.4
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN109955636A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 段志宏;段世茂
• 申請（專利權）人: 蘇州星澤激光科技有限公司
• 主分類號: B44C1/22
• 分類號: B44C1/22
• 代理公司: 北京國坤專利代理事務所(普通合伙) 11491
• 代理人: 趙紅霞

1.鐳雕蝕刻工藝，用于模具槽室的紋理成型，其特征在于包括如下步驟：

S1表面處理，

對模具的槽室進行清洗，再通過噴砂工藝對槽室內加工表面進行平滑處理；

S2表面覆蓋封隔層，

調配封隔液，將封隔液均勻覆蓋在加工表面上，封隔液固化后形成封隔層；

S3鐳雕開窗，

根據成型紋理在封隔層上進行開窗，開窗部金屬體外露；

S4化學腐蝕，

對開窗部的外露金屬體進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述鐳雕蝕刻工藝，其特征在于：

所述步驟S2中，封隔液按照質量比包括：

10份黑色水性聚氨酯面漆，

5份固化劑，

8～10份稀料。

3.根據權利要求2所述鐳雕蝕刻工藝，其特征在于：

所述步驟S1中，噴砂采用600目～800目碳化硅研磨顆粒。

4.根據權利要求2所述鐳雕蝕刻工藝，其特征在于：

所述步驟S2中，覆蓋在加工表面的封隔液的層厚為0.3mm±0.05mm，進行熱光照固化，固化時間為5min±20s。

5.根據權利要求2所述鐳雕蝕刻工藝，其特征在于：

所述步驟S3中，鐳射強度控制在擊穿封隔液層、金屬表層灼刻深度小于0.001mm。

6.根據權利要求1所述鐳雕蝕刻工藝，其特征在于：

所述加工表面具備曲面和/彎折面。

7.根據權利要求6所述鐳雕蝕刻工藝，其特征在于：

所述紋理包括至少兩層紋理層，任意紋理層采用步驟S2～步驟S4成型。