[發明專利]芯片、目標基板、芯片轉移方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201910333496.7
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN110061106B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 陳亮;王磊;玄明花;劉冬妮;肖麗;趙德濤;陳昊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

一種芯片、目標基板、芯片轉移方法及顯示裝置，屬于芯片轉移領域。轉移方法包括：將目標基板設置在密閉腔室內；向第一芯片鍵合結構和第一基板鍵合結構施加不同極性的電荷，向密閉腔室內注入絕緣流體并控制第一基板鍵合結構的電位，使第一芯片鍵合結構進入第一對位孔并位于第一基板卡接部與第一基板鍵合結構之間；向第二芯片鍵合結構和第二基板鍵合結構施加不同極性的電荷，改變絕緣流體的流動方向并控制第二基板鍵合結構的電位，使第二芯片鍵合結構進入第二對位孔并位于第二基板卡接部與第二基板鍵合結構之間；向芯片施加壓力使芯片鍵合結構與基板鍵合結構鍵合。本申請可以提高芯片轉移效率。

技術領域

本申請涉及芯片轉移領域，特別涉及一種芯片、目標基板、芯片轉移方法及顯示裝置。

背景技術

微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode；Micro LED/μLED)芯片是一種新型的LED芯片，具有亮度高、發光效率高以及功耗低等優點，在顯示行業具有廣泛的應用前景。Micro LED芯片通常需要在藍寶石類基板(以下稱為源基板)上形成，使用時需要將Micro LED芯片從源基板轉移至目標基板。目前，主要通過微轉印(Micro TransferPrinting；μTP)技術轉移Micro LED芯片。但是，在μTP技術中，彈性印模每次拾取的MicroLED芯片的數量較少，因此μTP技術的轉移效率較低。

發明內容

本申請提供一種芯片、目標基板、芯片轉移方法及顯示裝置，該芯片轉移方法包括：將目標基板設置在密閉腔室內；向芯片的第一芯片鍵合結構和目標基板的第一基板鍵合結構施加不同極性的電荷，向密閉腔室內注入按照第一方向流動的絕緣流體并控制第一基板鍵合結構的電位，使第一芯片鍵合結構遠離芯片主體的一端進入第一對位孔并穿過第一基板卡接部位于第一基板卡接部與第一基板鍵合結構之間；向芯片的第二芯片鍵合結構和目標基板的第二基板鍵合結構施加不同極性的電荷，向密閉腔室內注入按照第二方向流動的絕緣流體并控制第二基板鍵合結構的電位，使第二芯片鍵合結構遠離芯片主體的一端進入第二對位孔并穿過第二基板卡接部位于第二基板卡接部與第二基板鍵合結構之間；向芯片施加壓力，使第一芯片鍵合結構與第一基板鍵合結構鍵合，第二芯片鍵合結構與第二基板鍵合結構鍵合。由于可以采用絕緣流體實現芯片與目標基板的對位，能夠實現芯片的批量轉移，因此芯片的轉移效率較高。

附圖說明

圖1是本申請實施例提供的一種芯片的結構示意圖；

圖2是本申請實施例提供的一種目標基板的結構示意圖；

圖3是本申請實施例提供的另一種目標基板的結構示意圖；

圖4至圖13是本申請實施例提供的一種芯片轉移過程的示意圖。

具體實施方式

請參考圖1，其示了本申請實施例提供的一種芯片01的結構示意圖，該芯片01包括芯片主體011以及設置在芯片主體011上的第一芯片鍵合結構012和第二芯片鍵合結構013，第一芯片鍵合結構012和第二芯片鍵合結構013位于芯片主體011上的同一側，且第一芯片鍵合結構012和第二芯片鍵合結構013同層設置，第一芯片鍵合結構012的側面具有第一芯片卡接部014，第二芯片鍵合結構013的側面具有第二芯片卡接部015。第一芯片鍵合結構012被配置為通過目標基板(圖1中未示出)中的第一對位孔(圖1中未示出)與目標基板的第一基板鍵合結構(圖1中未示出)鍵合，第二芯片鍵合結構013被配置為通過目標基板中的第二對位孔(圖1中未示出)與目標基板的第二基板鍵合結構(圖1中未示出)鍵合。其中，第一對位孔的側壁具有第一基板卡接部(圖1中未示出)，第二對位孔的側壁具有第二基板卡接部(圖1中未示出)，第一芯片卡接部014被配置為在第一芯片鍵合結構012和第一基板鍵合結構對位的過程中與第一基板卡接部卡接，第二芯片卡接部015被配置為在第二芯片鍵合結構013和第二基板鍵合結構對位的過程中與第二基板卡接部卡接。