[發明專利]發光元件、顯示裝置、發光組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201910333207.3
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN109950385B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 葉勛隆;黃文孝;黃達人
• 申請（專利權）人: 業成科技（成都）有限公司;業成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/48;H01L25/075;G02F1/13357
• 代理公司: 成都希盛知識產權代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

1.一種發光元件，其特征在于，包括：

發光二極管芯片，用于發出激發光；

第一熒光粉層，部分形成于所述發光二極管芯片的出光面，在所述激發光的激發下產生第一受激光；以及

第二熒光粉層，部分形成于所述發光二極管芯片的出光面且與所述第一熒光粉層不相重疊，在所述激發光的激發下產生與所述第一受激光具有不同顏色的第二受激光，所述第一受激光、所述第二受激光和部分所述激發光合光形成照明光；

所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層還分別包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部不與所述發光二極管芯片接觸。

2.如權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層的厚度相等，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層接收所述激發光的面積與所述發光二極管芯片出射藍光的面積分別為第一面積、第二面積和第三面積，混光形成所述照明光所需的所述第一受激光、所述第二受激光和所述激發光的光通量之比，等于所述第一面積、所述第二面積、所述第三面積分別與所述第一熒光粉層的光轉換率、所述第二熒光粉層的光轉換率和1的乘積之比。

3.如權利要求1或2所述的發光元件，其特征在于，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層分別由第一熒光粉和第二熒光粉通過物理氣相沉積法形成于所述發光二極管芯片的出光面。

4.一種發光組件，其特征在于，包括：

多個如權利要求1-3任意一項所述的發光元件，用于發出所述照明光；

擴散層，用于對所述發光元件進行封裝，以及用于對所述照明光進行擴散；以及

電路板，所述多個發光元件的非出光面設置于所述電路板上；

所述擴散層包括第一擴散層和第二擴散層，所述第一延伸部和所述第二延伸部與所述電路板之間形成有所述第一擴散層，所述第二擴散層覆蓋所述第一擴散層和所述發光元件。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

如權利要求4所述的發光組件；以及

顯示模組，位于所述發光組件的出光光路上，所述發光組件用于為所述顯示模組提供圖像顯示所需的所述照明光。

6.一種發光組件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

將多個發光二極管芯片設置于電路板上；

在設置有所述發光二極管芯片的所述電路板上沉積第一擴散層；

利用氣相沉積法在所述發光二極管芯片的出光面和部分所述第一擴散層上沉積第一基色熒光粉和第二基色熒光粉以形成不相重疊的第一熒光粉層和第二熒光粉層，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層部分形成于所述發光二極管芯片的出光面，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層還分別包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部不與所述發光二極管芯片接觸；以及

在所述第一擴散層、所述第一熒光粉層、所述第二熒光粉層和所述發光二極管芯片上形成第二擴散層。

7.一種發光組件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

多個發光二極管芯片被承載于一承載片上，在設置有所述發光二極管芯片的所述承載片上沉積第一擴散層；

利用氣相沉積法在所述發光二極管芯片的出光面和部分所述第一擴散層上沉積第一基色熒光粉和第二基色熒光粉以形成不相重疊的第一熒光粉層和第二熒光粉層，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層部分形成于所述發光二極管芯片的出光面，所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層還分別包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部不與所述發光二極管芯片接觸；

在所述第一擴散層、所述第一熒光粉層、所述第二熒光粉層和所述發光二極管芯片上形成第二擴散層；以及

將所述第一擴散層和所述第二擴散層連同所述發光二極管芯片、所述第一熒光粉層和所述第二熒光粉層剝離所述承載片并移轉至電路板上。