[發明專利]等離子體處理裝置和電源控制方法

在審

• 申請號: 201910332392.4
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN110416051A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 永海幸一;大下辰郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供等離子體處理裝置和等離子體處理方法。本發明能夠抑制在載置臺與被處理體之間發生放電。等離子體處理裝置包括：載置臺，其載置作為等離子體處理的對象的被處理體，并作為下部電極發揮作用；直流電源，其交替地產生施加到載置臺的正直流電壓和負直流電壓；測量載置于載置臺的被處理體的電壓的測量部；計算部，其基于測量出的被處理體的電壓，計算將負直流電壓施加到載置臺的期間的、載置臺與被處理體之間的電位差；和電源控制部，其控制直流電源，以使得施加到載置臺的負直流電壓的值的電位差變化使計算出的電位差減少的變化量。

技術領域

本發明涉及等離子體處理裝置和電源控制方法。

背景技術

一直以來，已知使用等離子體對半導體晶片等被處理體進行蝕刻處理等等離子體處理的等離子體處理裝置。關于這樣的等離子體處理裝置，在能夠構成真空空間的處理容器內具有載置臺，其載置被處理體并兼具作為電極的功能。等離子體處理裝置通過對例如載置臺施加規定的高頻電力，對載置于載置臺的被處理體，進行等離子體處理。另外，等離子體處理裝置在進行等離子體處理時，有時對載置臺施加偏置用的高頻電力。通過對載置臺施加偏置用的高頻電力，能夠將等離子體中的離子引入被處理體。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-201611號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種能夠抑制在載置臺與被處理體之間發生放電的技術。

用于解決技術問題的技術手段

本發明的一方式的等離子體處理裝置，其包括：載置臺，其載置作為等離子體處理的對象的被處理體，并作為下部電極發揮作用；直流電源，其交替地產生施加到上述載置臺的正直流電壓和負直流電壓；測量載置于上述載置臺的被處理體的電壓的測量部；計算部，其基于上述測量出的被處理體的電壓，計算對上述載置臺施加負直流電壓的期間的、上述載置臺與上述被處理體之間的電位差；和電源控制部，其控制上述直流電源，以使得施加到上述載置臺的負直流電壓的值變化使上述計算出的電位差減少的變化量。

發明效果

依照本發明，起到能夠抑制在載置臺與被處理體之間發生放電的效果。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的等離子體處理裝置的概略結構的概略截面圖。

圖2是表示控制第一實施方式的等離子體處理裝置的控制部的概略結構的一例的框圖。

圖3是示意地表示對載置臺交替地施加正直流電壓和負直流電壓時載置臺16與晶片W的電位的狀態的一例的圖。

圖4是表示第一實施方式的電源控制方法的流程的一例的流程圖。

圖5是用于說明第一實施方式的等離子體處理裝置中使用的電源控制方法的具體例的圖。

圖6是表示第一實施方式的電源控制方法的流程的變形例1的流程圖。

圖7是表示第一實施方式的電源控制方法的流程的變形例2的流程圖。

圖8是表示第一實施方式的電源控制方法的流程的變形例3的流程圖。

圖9是表示控制第二實施方式的等離子體處理裝置的控制部的概略結構的一例的框圖。

圖10是表示第二實施方式的電源控制方法的流程的一例的流程圖。

附圖標記說明

10 等離子體處理裝置

16 載置臺

18 基臺