[發明專利]存儲器裝置及非易失性存儲器的控制方法

有效

• 申請號: 201910332092.6
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN111863089B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 黃仲盟
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

本發明提供一種存儲器裝置及非易失性存儲器的控制方法。非易失性存儲器區分為目標抹除區域及非選擇區域。所述控制方法包括：抹除目標抹除區域中的目標存儲單元。非選擇區域是非易失性存儲器中除了目標抹除區域以外的區域。抹除所述目標存儲單元的步驟包括抹除操作、驗證操作及未通過所述驗證操作后所進行的抹除回圈。抹除回圈進行的次數為大于等于零的整數。所述控制方法還包括：刷新對非選擇區域中的預定義部分，其中預定義部分的區域尺寸是基于抹除回圈進行的次數而決定。

技術領域

本發明涉及一種存儲器裝置的控制技術，尤其涉及一種存儲器裝置及非易失性存儲器的控制方法。

背景技術

快取存儲器是利用存儲單元的臨界電壓Vt來存儲數據。因此，為了對存儲單元的臨界電壓Vt進行調整，便需對存儲單元進行編程(programming)操作及抹除(erase)操作。反或(NOR)型快取存儲器中每一區的P井(P-Well)層通常具備多個存儲器區塊(memoryblock)，例如將四個存儲器區塊設計在同一區P井層中。圖1是經抹除存儲單元與經編程存儲單元在進行抹除時的臨界電壓分布示意圖，圖1的橫軸表示存儲單元的臨界電壓值，圖1的縱軸表示存儲單元在此臨界電壓值的數量。當要對指定的存儲單元(例如其容量為4KB)進行抹除操作時，這些經抹除存儲單元的臨界電壓值將會降低(如圖1的存儲單元臨界電壓分布110所示)。另一方面，因NOR型快取存儲器在進行抹除操作時需要對P井層提供電壓，位于同區P井層中每個存儲單元也會受到抹除干擾，導致該區P井層中非進行抹除而是已經編程(programmed)存儲單元(稱為，已編程存儲單元)因過多無謂的抹除操作而使其自身的臨界電壓Vt下降，如圖1的存儲單元臨界電壓分布120及130所示，從而影響經編程存儲單元的數據儲存效能。此種干擾被稱為是大量抹除干擾(bulk erase disturb)。因此，便需要對位于同區P井層中且非指定的存儲單元進行刷新，從而回升經編程存儲單元的臨界電壓Vt。

然而，若是將每個非指定的存儲單元皆進行刷新的話，則會耗費大量的時間。因此，如何在存儲單元的刷新時間及數據存取效能當中取得平衡，便是當前快取存儲器裝置的控制技術所欲解決的問題之一。

發明內容

本發明提供一種存儲器裝置及非易失性存儲器的控制方法，可靈活地調整欲刷新的存儲器區塊的尺寸，從而適度地節省進行刷新操作的時間。

本發明提出一種非易失性存儲器的控制方法，此非易失性存儲器區分為目標抹除區域及非選擇區域。所述控制方法包括：抹除目標抹除區域中的目標存儲單元，其中非選擇區域是非易失性存儲器中除了目標抹除區域以外的區域，所述抹除包括抹除操作、驗證操作及未通過驗證操作后所進行的抹除回圈，且抹除回圈進行的次數為大于等于零的整數；以及，刷新對非選擇區域中的預定義部分，其中預定義部分的區域尺寸是基于抹除回圈進行的所述次數而決定。

本發明提出一種存儲器裝置，其包括非易失性存儲器以及控制器。非易失性存儲器區分為目標抹除區域及非選擇區域。控制器控制非易失性存儲器以抹除所述目標抹除區域中的目標存儲單元。非選擇區域是非易失性存儲器中除了目標抹除區域以外的區域。所述抹除包括抹除操作、驗證操作及未通過驗證操作后所進行的抹除回圈，且抹除回圈進行的次數為大于等于零的整數。控制器控制非易失性存儲器以刷新對非選擇區域中的預定義部分，其中預定義部分的區域尺寸是基于抹除回圈進行的次數而決定。

基于上述，本發明實施例所述的存儲器裝置及非易失性存儲器的控制方法是基于對于目標存儲單元的抹除回圈進行的次數來調整欲刷新的存儲器區塊的尺寸。抹除回圈的次數較少便表示非易失性存儲器中存儲單元的臨界電壓容易受到調整，因此可利用未選擇區域中尺寸較小的預定義部分進行刷新，從而適度地節省進行刷新操作的時間。相對地，抹除回圈的次數較多便表示非易失性存儲器中存儲單元的臨界電壓難以受到調整，因此可利用未選擇區域中尺寸較大的預定義部分進行刷新，才能獲得存儲單元中較佳的數據存取效能。藉此，本實施例可靈活地采用不同尺寸的預定義部分來刷新，從而適度地節省進行存儲器抹除方法及刷新操作的時間。