[發明專利]存儲器裝置及非易失性存儲器的控制方法有效
| 申請號: | 201910332092.6 | 申請日: | 2019-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN111863089B | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 黃仲盟 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/14 | 分類號: | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 裝置 非易失性存儲器 控制 方法 | ||
1.一種非易失性存儲器的控制方法,所述非易失性存儲器區分為目標抹除區域及非選擇區域,所述控制方法包括:
抹除所述目標抹除區域中的目標存儲單元,其中所述非選擇區域是所述非易失性存儲器中除了所述目標抹除區域以外的區域,抹除所述目標存儲單元的步驟包括抹除操作、驗證操作及未通過所述驗證操作后所進行的抹除回圈,且所述抹除回圈進行的次數為大于等于零的整數;
將所述抹除回圈進行的所述次數與多個閾值進行比較;以及
刷新對所述非選擇區域中的預定義部分,其中所述預定義部分的區域尺寸是基于所述抹除回圈進行的所述次數與所述多個閾值的比較而決定。
2.根據權利要求1所述的控制方法,其中所述非易失性存儲器是反或閘型快取存儲器裝置。
3.根據權利要求1所述的控制方法,其中所述目標抹除區域與所述非選擇區域位于所述非易失性存儲器的同一個P井層中。
4.根據權利要求1所述的控制方法,其中經過抹除的所述目標存儲單元具有不大于抹除驗證電壓的閾值電壓,
并且,所述控制方法還包括:
在抹除所述目標抹除區域中的所述目標存儲單元之后,對所述目標存儲單元進行軟編程操作,其中所述目標存儲單元被設置為具有不小于軟編程驗證電壓的閾值電壓,并且所述軟編程驗證電壓小于所述抹除驗證電壓。
5.根據權利要求1所述的控制方法,還包括:
在抹除所述目標抹除區域中的所述目標存儲單元之前,對所述目標抹除區域進行預編程操作。
6.根據權利要求1所述的控制方法,其中在所述預定義部分所述抹除回圈進行的所述次數愈少時,所述區域尺寸占所述非易失性存儲器的尺寸比例愈小;在所述預定義部分所述抹除回圈進行的所述次數愈多時,所述區域尺寸占所述非易失性存儲器的尺寸比例愈大。
7.根據權利要求1所述的控制方法,當所述抹除回圈進行的所述次數為零時,所述預定義部分的所述區域尺寸為所述非易失性存儲器的尺寸乘以1/2的5次方;當所述抹除回圈進行的所述次數為N1時,所述預定義部分的所述區域尺寸為所述非易失性存儲器的尺寸乘以1/2的4次方;當所述抹除回圈進行的所述次數為N2時,所述預定義部分的所述區域尺寸為所述非易失性存儲器的尺寸乘以1/2的3次方;當所述抹除回圈進行的所述次數為N3時,所述預定義部分的所述區域尺寸為所述非易失性存儲器的尺寸乘以1/2的2次方;當所述抹除回圈進行的所述次數為N4時,所述預定義部分的所述區域尺寸為所述非易失性存儲器的尺寸乘以1/2的1次方;當所述抹除回圈進行的所述次數為N5或N5以上時,所述預定義部分的所述區域尺寸為所述非易失性存儲器的尺寸,其中N1、N2、N3、N4及N5皆為正整數,且0<N1<N2<N3<N4<N5。
8.根據權利要求1所述的控制方法,還包括:
在開機時,利用亂數隨機性地在所述非易失性存儲器的多個存儲器區塊中選擇其中之一作為起始的刷新區域,并刷新所述刷新區域;
依序地刷新存儲器裝置中的所述存儲器區塊。
9.一種存儲器裝置,包括:
非易失性存儲器,區分為目標抹除區域及非選擇區域;以及
控制器,控制所述非易失性存儲器以抹除所述目標抹除區域中的目標存儲單元,其中所述非選擇區域是所述非易失性存儲器中除了所述目標抹除區域以外的區域,所述抹除包括抹除操作、驗證操作及未通過所述驗證操作后所進行的抹除回圈,且所述抹除回圈進行的次數為大于等于零的整數,
其中所述控制器用以將所述抹除回圈進行的所述次數與多個閾值進行比較;
所述控制器控制所述非易失性存儲器以刷新對所述非選擇區域中的預定義部分,其中所述預定義部分的區域尺寸是基于所述抹除回圈進行的所述次數與所述多個閾值的比較而決定。
10.根據權利要求9所述的存儲器裝置,其中所述非易失性存儲器是反或閘型快取存儲器裝置。
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