[發(fā)明專利]一種圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910330911.3 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN110112157B | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊鑫 | 申請(專利權(quán))人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 張振偉;張穎玲 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖像傳感器 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:像素單元,構(gòu)成用于感光的陣列;所述像素單元包含多個光電二極管,且所述光電二極管之間的間隔大于等于預(yù)設(shè)間隔閾值,以使所吸收的特定波長的光局限在所述光電二極管的內(nèi)部。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及光電二極管技術(shù),涉及但不限于一種圖像傳感器。
背景技術(shù)
隨著像素變得越來越小,像素之間抗干擾能力減弱,產(chǎn)生錯誤的顏色,這個現(xiàn)象被稱為串?dāng)_,光電二極管會將光轉(zhuǎn)化成為電荷信號,而這些電荷可能會到相鄰的像素,造成干擾而影響影像的色彩。在相關(guān)技術(shù)中,采用金屬柵格層和介質(zhì)柵格層去降低像素串?dāng)_,在像素之間加入柵格層去降低像素串?dāng)_,金屬對光存在反射和吸收,降低了光的利用率。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本申請實施例提供了一種圖像傳感器。
本申請實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
本申請實施例提供一種圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:
像素單元,構(gòu)成用于感光的陣列;
所述像素單元包含多個光電二極管,且所述光電二極管之間的間隔大于等于預(yù)設(shè)間隔閾值,以使所吸收的特定波長的光局限在所述光電二極管的內(nèi)部。
本申請實施例提供一種圖像傳感器,包括:像素單元,構(gòu)成用于感光的陣列;所述像素單元包含多個光電二極管,且所述光電二極管之間的間隔大于等于預(yù)設(shè)間隔閾值,以使所吸收的特定波長的光局限在所述光電二極管的內(nèi)部;如此,通過將設(shè)置光電二極管之間的間隔大于預(yù)設(shè)間隔閾值,使得不同的二極管吸收不同波長的光,從而不僅能夠降低光電二極管之間的串?dāng)_,還可以增強光的局域性,提高了光的利用率。
附圖說明
圖1為本申請實施例圖像傳感器的組成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2A為本申請實施例光電二極管的組成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2B為本申請實施例像素單元的組成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3A為本申請實施例的像素單元的另一組成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3B為本申請實施例光電二極管的金屬布線的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本申請實施例圖像傳感器的組成結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本申請實施例提供的圖像傳感器的組成結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
在對本申請實施例的技術(shù)方案進行詳細說明之前,首先對本申請實施例的數(shù)據(jù)傳輸方法應(yīng)用的系統(tǒng)架構(gòu)進行簡單說明。本申請實施例的數(shù)據(jù)傳輸方法應(yīng)用于三維視頻數(shù)據(jù)的相關(guān)業(yè)務(wù),該業(yè)務(wù)例如是三維視頻數(shù)據(jù)分享的業(yè)務(wù),或者基于三維視頻數(shù)據(jù)的直播業(yè)務(wù)等等。在這種情況下,由于三維視頻數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量較大,分別傳輸?shù)纳疃葦?shù)據(jù)和二維視頻數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)傳輸過程中需要較高的技術(shù)支持,因此需要移動通信網(wǎng)絡(luò)具有較快的數(shù)據(jù)傳輸速率,以及較穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸環(huán)境。
本申請實施例提供一種圖像傳感器,圖1為本申請實施例圖像傳感器的組成結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,所述圖像傳感器,包括:
像素單元101,構(gòu)成用于感光的陣列;
所述像素單元包含多個光電二極管(即二極管102至n),且所述光電二極管之間的間隔大于等于預(yù)設(shè)間隔閾值,以使所吸收的特定波長的光局限在所述光電二極管的內(nèi)部。
這里,所述預(yù)設(shè)間隔閾值使所述光電二極管之間的耦合度低于預(yù)設(shè)值;也就是說,當(dāng)相鄰光電二極管之間的間隔滿足預(yù)設(shè)間隔閾值時,相鄰光電二極管之間的耦合小于預(yù)設(shè)耦合值;這樣保證了相鄰的光電二極管在吸收光時,互不影響,從而以減少像素之間的干擾。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





