[發明專利]一種圖像傳感器有效
| 申請號: | 201910330911.3 | 申請日: | 2019-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN110112157B | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發明(設計)人: | 楊鑫 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 張振偉;張穎玲 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器包括:
像素單元,構成用于感光的陣列;
所述像素單元包含多個光電二極管,所述多個光電二極管中相鄰的光電二極管的直徑不同;且所述光電二極管之間的間隔大于等于預設間隔閾值,以使所吸收的特定波長的光局限在所述光電二極管的內部。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,
所述預設間隔閾值使所述光電二極管之間的耦合度低于預設值。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,
所述光電二極管的形狀滿足特定形狀,以使光沿著所述特定形狀的任一方向產生的偏振之間的差值小于預設差值。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,
所述光電二極管為亞波長的圓柱形光電二極管。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,
所述多個光電二極管的直徑不完全相同。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,
所述光電二極管吸收的特定波長為單一波長。
7.根據權利要求1至3任一項所述的圖像傳感器,其特征在于,所述光電二極管包括:
襯底;
硅柱,底面為所述襯底,用于在所述硅柱內注入預設量的磷離子,以形成反型層;
所述反型層位于所述硅柱內部,用于與所述硅柱內的空穴復合,以消除掉所述硅柱中的部分電子;
耗盡層位于所述硅柱內部,且所述耗盡層的底部到達所述襯底。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述像素單元還包括:
轉移晶體管,用于將感光陣列產生的電荷轉移到浮動擴散區;
讀出電路,用于讀出轉移到所述浮動擴散區中的電荷。
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其特征在于,所述讀出電路,包括:
復位晶體管,與所述浮動擴散區連接,用于復位所述浮動擴散區;
放大晶體管,與所述浮動擴散區連接,用于放大所述浮動擴散區中的電荷,得到放大的電荷;
選擇晶體管,與所述放大晶體管連接,用于讀出所述放大的電荷到輸出電路;
所述輸出電路,與所述選擇晶體管連接,用于輸出所述放大的電荷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





