[發(fā)明專利]一種像素結構、CMOS圖像傳感器和終端

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910330862.3
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN110112156B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 楊鑫
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權代理有限公司 11270
• 代理人: 賈偉;張穎玲

本申請實施例公開了一種像素結構，其中，該像素結構包括濾光片、光電二極管和讀出電路，其中，濾光片用于對接收到的入射光進行過濾，得到特定波長的光，光電二極管放置于濾光片中背對入射光的表面的一側，光電二極管的光接收面與濾光片中背對入射光的表面相對放置，光電二極管用于當像素結構中呈正方形光接收面的邊長小于特定波長時，根據(jù)光電二極管的光接收面的共振波長，對接收到特定波長進行吸收，并將吸收到的光轉換為電信號，讀出電路與光電二極管的負極相連接，用于讀出電信號。本申請實施例還同時提供了一種CMOS圖像傳感器和終端。

技術領域

本申請涉及終端中互補金屬氧化物半導體(CMOS，Complementary Metal OxideSemiconductor)圖像傳感器的像素結構對光的吸收技術，尤其涉及一種像素結構、CMOS圖像傳感器和終端。

背景技術

CMOS圖像傳感器因其制造成本低和功耗低而廣泛應用于攝影攝像的產(chǎn)品中，針對CMOS圖像傳感器來說，較高靈敏度、較短曝光時間和日漸縮小的像素尺寸已經(jīng)成為CMOS圖像傳感器的發(fā)展趨勢。

目前，傳統(tǒng)的像素結構的像素尺寸大約為800nm，但是，當像素尺寸縮小至低于自然光的波長，例如，像素尺寸低于200nm時，像素結構中光電二極管對光的吸收率急劇下降，導致吸收率很低，這樣，不利于CMOS圖像傳感器的成像；由此可以看出，現(xiàn)有的小尺寸像素結構存在對光的吸收率很低的技術問題。

發(fā)明內容

本申請實施例期望提供一種像素結構、CMOS圖像傳感器和終端，旨在提高小尺寸像素結構對光的吸收率。

本申請的技術方案是這樣實現(xiàn)的：

本申請實施例提供了一種像素結構，所述像素結構包括濾光片、光電二極管和讀出電路；其中，

所述濾光片用于對接收到的入射光進行過濾，得到特定波長的光；

所述光電二極管放置于所述濾光片中背對所述入射光的表面的一側，所述光電二極管的光接收面與所述濾光片中背對所述入射光的表面相對放置，所述光電二極管用于當所述像素結構中呈正方形光接收面的邊長小于所述特定波長時，根據(jù)所述光電二極管的光接收面的共振波長，對所述特定波長進行吸收，并將吸收到的光轉換為電信號；其中，所述共振波長為所述光電二極管的光接收面發(fā)生共振吸收時的波長；

所述讀出電路與所述光電二極管的負極相連接，用于讀出所述電信號。

在上述像素結構中，所述特定波長在所述共振波長的范圍之內。

在上述像素結構中，所述特定波長包括以下任意一項：紅光波長，黃光波長，藍光波長。

在上述像素結構中，所述光電二極管的光接收面的面積小于所述像素結構中呈正方形光接收面的面積。

在上述像素結構中，所述光電二極管的光接收面的形狀包括以下任意一項：圓形、正方形、三角形、五邊形和六邊形。

在上述像素結構中，所述光電二極管的形狀為圓柱體；其中，所述光電二極管的光接收面為所述圓柱體的其中一個圓形底面。

在上述像素結構中，當所述光電二極管的光接收面為圓形時，所述光電二極管的光接收面的共振波長與所述圓形的直徑呈正相關性。

在上述像素結構中，當所述特定波長為藍光波長，且所述像素結構中呈正方形光接收面的邊長為100nm時，所述光電二極管的圓形光接收面的直徑為70nm。

本申請實施例還提供了一種CMOS圖像傳感器，所述CMOS圖像傳感器包括上述一個或多個實施例所述的像素結構。

本申請實施例還提供了一種終端，所述終端包括上述實施例所述的CMOS圖像傳感器。